[发明专利]磁场增强组件以及磁场增强器件

权利要求书

1.一种磁场增强组件，其特征在于，所述磁场增强组件包括：

第一电介质层(100)，具有第一表面(101)，所述第一电介质层(100)具有相对设置的第一端(103)与第二端(104)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，且靠近所述第二端(104)设置；

第二电极层(120)，设置于所述第一表面(101)，并与所述第一电极层(110)间隔设置，且靠近所述第一端(103)设置；

第四控制电路(600)，所述第四控制电路(600)的一端与所述第二电极层(120)远离所述第一端(103)的一端连接，所述第四控制电路(600)的另一端与所述第一电极层(110)远离所述第二端(104)的一端连接；

所述第四控制电路(600)用于控制所述第一电极层(110)与所述第二电极层(120)在射频发射阶段断开，且在射频接收阶段连接。

2.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第四控制电路(600)包括：

第一耗尽型MOS管(231)，所述第一耗尽型MOS管(231)的源极与所述第二电极层(120)连接，所述第一耗尽型MOS管(231)的栅极和漏极连接；

第二耗尽型MOS管(232)，所述第二耗尽型MOS管(232)的栅极和漏极连接，并与所述第一耗尽型MOS管(231)的栅极和漏极连接，所述第二耗尽型MOS管(232)的源极与所述第一电极层(110)连接。

3.如权利要求2所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第四控制电路(600)还包括：

第三耗尽型MOS管(233)，所述第三耗尽型MOS管(233)的源极与所述第一耗尽型MOS管(231)的源极连接，所述第三耗尽型MOS管(233)的栅极和漏极连接；

第四耗尽型MOS管(234)，所述第四耗尽型MOS管(234)的栅极和漏极连接，并与所述第三耗尽型MOS管(233)的栅极和漏极连接，所述第四耗尽型MOS管(234)的源极与所述第二耗尽型MOS管(232)的源极连接。

4.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，沿着由所述第一端(103)至所述第二端(104)的方向，所述第二电极层(120)和所述第一电极层(110)关于所述第四控制电路(600)对称设置。

5.如权利要求1所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第一电介质层(100)具有第二表面(102)，与所述第一表面(101)相对设置，所述磁场增强组件还包括：

第三电极层(130)，设置于所述第二表面(102)，并覆盖部分所述第二表面(102)，且靠近所述第二端(104)设置；

所述第三电极层(130)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第一电极层(110)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重和，形成第二结构电容(302)；

第四电极层(140)，设置于所述第二表面(102)，并覆盖部分所述第二表面(102)，且靠近所述第一端(103)设置；

所述第四电极层(140)在所述第一电介质层(100)的正投影与所述第二电极层(120)在所述第一电介质层(100)的正投影部分重和，形成第三结构电容(303)。

6.如权利要求5所述的磁场增强组件，其特征在于，沿着所述第一端(103)至所述第二端(104)的方向上，所述第三结构电容(303)与所述第四控制电路(600)之间的所述第二电极层(120)的长度和所述第二结构电容(302)与所述第四控制电路(600)之间的所述第一电极层(110)的长度相同。

7.如权利要求5所述的磁场增强组件，其特征在于，所述第三结构电容(303)与所述第四控制电路(600)之间的所述第二电极层(120)的宽度小于所述第三结构电容(303)对应的所述第二电极层(120)的宽度；

所述第二结构电容(302)与所述第四控制电路(600)之间的所述第一电极层(110)的宽度小于所述第二结构电容(302)对应的所述第一电极层(110)的宽度。