[发明专利]一种功率放大器的功率检测电路及方法有效

专利信息
申请号: 202110183211.3 申请日: 2021-02-10
公开(公告)号: CN112532191B 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 彭振飞;苏强;刘传兵 申请(专利权)人: 广州慧智微电子有限公司
主分类号: H03F3/24 分类号: H03F3/24;G01R21/00;H03F1/00
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 贾伟;张颖玲
地址: 510663 广东省广州市高新技术产业*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率放大器 功率 检测 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种功率放大器的功率检测电路,其特征在于,所述功率检测电路包括:偏置电路、整流电路、直流抵消电路、偏移补偿电路和增益控制电路;

所述偏置电路与所述整流电路和所述直流抵消电路分别连接,所述偏置电路,用于为所述整流电路和所述直流抵消电路分别提供偏置电压;

所述整流电路在所述偏置电压的作用下,产生静态电流,所述整流电路,用于将输入的射频信号转换为直流电流,并将所述直流电流与所述静态电流叠加,得到第一电流;

所述直流抵消电路与所述偏移补偿电路和所述整流电路分别连接;所述直流抵消电路,用于提供抵消电流对所述第一电流中的所述静态电流进行抵消,所述偏移补偿电路,用于提供偏移补偿电流对所述第一电流进行偏移补偿;

所述增益控制电路与所述整流电路和功率放大器分别连接,所述增益控制电路,用于对所述第一电流,经所述抵消电流抵消和所述偏移补偿电流偏移补偿得到的第二电流进行放大,得到检测电流,并将所述检测电流输入所述功率放大器,以对所述功率放大器进行电流补偿。

2.根据权利要求1所述的功率检测电路,其特征在于,所述偏置电路包括第一镜像恒流源和第一NMOS电流镜;

所述第一镜像恒流源由第一输入级和第一输出级构成,所述第一输入级包括参考电流源、第一PMOS电流镜,所述第一输出级包括第二PMOS电流镜;

所述第一PMOS电流镜的源极和所述第二PMOS电流镜的源极接入电源;

所述第一PMOS电流镜的漏极接入参考电流源,且与所述第一PMOS电流镜栅极连接;

所述第二PMOS电流镜的栅极与所述第一PMOS电流镜的栅极连接,且所述第二PMOS电流镜的漏极与所述第一NMOS电流镜的漏极连接;

所述第一NMOS电流镜的栅极与所述第一NMOS电流镜的漏极、所述直流抵消电路、以及所述整流电路分别连接,源极接地;

所述第一输入级和所述第一输出级的电流传输比,等于所述第一PMOS电流镜的宽长比与所述第二PMOS电流镜的宽长比的比值。

3.根据权利要求1所述的功率检测电路,其特征在于,所述增益控制电路包括第二镜像恒流源;

所述第二镜像恒流源由第二输入级和第二输出级构成,所述第二输入级包括第三PMOS电流镜,所述第二输出级包括第四PMOS电流镜;

所述第三PMOS电流镜的源极和所述第四PMOS电流镜的源极接入电源;

所述第三PMOS电流镜的漏极与所述第三PMOS电流镜的栅极、所述整流电路、以及所述直流抵消电路分别连接;

所述第四PMOS电流镜的栅极与所述第三PMOS电流镜的栅极连接,所述第四PMOS电流镜的漏极与功率放大器连接;

所述第二输入级和所述第二输出级的电流传输比,等于所述第三PMOS电流镜的宽长比与所述第四PMOS电流镜的宽长比的比值。

4.根据权利要求2所述的功率检测电路,其特征在于,所述整流电路包括固定电阻、电容和第二NMOS电流镜;

所述电容一端接入所述射频信号,另一端与所述第二NMOS电流镜的栅极连接;

所述固定电阻的一端所述第二NMOS电流镜的栅极连接,另一端与所述偏置电路连接;

所述第二NMOS电流镜的漏极,与所述直流抵消电路和所述增益控制电路分别连接,所述第二NMOS电流镜的源极接地。

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