[发明专利]半导体基板及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种可靠性高的半导体基板及半导体装置的制造方法。半导体基板具备：基板，具有基板面，且具有第1外径；金属层，设置在基板面上，具有比第1外径小的第2外径；第1粘接带，具有第1基材和第1粘接剂层，经由第1粘接剂层粘贴在基板面及金属层，第1基材具有环状的形状，具有第1面和与第1面对置的第2面，该环状的形状具有比第1外径小且比第2外径大的第3外径和比第2外径小的第3内径，第1粘接剂层设置在第1面；以及第2粘接带，具有第2基材和第2粘接剂层，经由第2粘接剂层粘贴在第2面及金属层，第2基材具有比第1外径小且比第3内径大的第4外径，具有第3面和与第3面对置的第4面，第2粘接剂层设置在第3面。

本申请基于日本专利申请第2020－158214号(申请日：2020年9月23日)主张优先权，这里引用其全部内容。

技术领域

本发明涉及半导体基板及半导体装置的制造方法。

背景技术

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体装置用于电力转换等用途。

在使用该半导体装置的半导体基板的制造中，为了电极的形成而使用镀层工艺。在该镀层工艺时，对于不想进行镀层液的供给的部分，粘贴保护粘接带。

发明内容

本发明的目的是提供一种可靠性高的半导体基板及半导体装置的制造方法。

实施方式的半导体基板具备：基板，具有基板面，且具有第1外径；金属层，设置在所述基板面上，具有比所述第1外径小的第2外径；第1粘接带，具有第1基材和第1粘接剂层，经由所述第1粘接剂层粘贴在所述基板面及所述金属层，所述第1基材具有环状的形状，具有第1面和与所述第1面对置的第2面，该环状的形状具有比所述第1外径小且比所述第2外径大的第3外径和比所述第2外径小的第3内径，所述第1粘接剂层设置在所述第1面；以及第2粘接带，具有第2基材和第2粘接剂层，经由所述第2粘接剂层粘贴在所述第2面及所述金属层，所述第2基材具有比所述第1外径小且比所述第3内径大的第4外径，具有第3面和与所述第3面对置的第4面，所述第2粘接剂层设置在所述第3面。

附图说明

图1的(a)、图1的(b)是实施方式的半导体基板及半导体装置的示意剖面图。

图2的(a)、图2的(b)是实施方式的第1粘接带及第2粘接带的示意剖面图。

图3是表示实施方式的半导体装置的第1制造方法中的制造工序的示意剖面图。

图4是表示实施方式的半导体装置的第1制造方法中的制造工序的示意剖面图。

图5是表示实施方式的半导体装置的第1制造方法中的制造工序的示意剖面图。

图6是表示实施方式的半导体装置的第1制造方法中的制造工序的示意剖面图。

图7是表示实施方式的半导体装置的第2制造方法中的制造工序的示意剖面图。

图8是表示实施方式的半导体装置的第2制造方法中的制造工序的示意剖面图。

图9是表示实施方式的半导体装置的第3制造方法中的制造工序的示意剖面图。

图10是表示实施方式的半导体装置的第3制造方法中的制造工序的示意剖面图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边说明本发明的实施方式。另外，在以下的说明中，对于相同的部件等赋予相同的标号，关于说明过一次的部件等适当省略其说明。

在本说明书中，为了表示零件等的位置关系，将附图的上方记述为“上”，将附图的下方记述为“下”。在本说明书中，“上”、“下”的概念不一定是表示与重力的朝向的关系的用语。

(实施方式)