[发明专利]半导体基板及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板，其具备：

基板，具有基板面，且具有第1外径；

金属层，设置在所述基板面上，具有比所述第1外径小的第2外径；

第1粘接带，具有第1基材和第1粘接剂层，经由所述第1粘接剂层粘贴在所述基板面及所述金属层，所述第1基材具有环状的形状，且具有第1面和与所述第1面对置的第2面，该环状的形状具有比所述第1外径小且比所述第2外径大的第3外径和比所述第2外径小的第3内径，所述第1粘接剂层设置在所述第1面；以及

第2粘接带，具有第2基材和第2粘接剂层，经由所述第2粘接剂层粘贴在所述第2面及所述金属层，所述第2基材具有比所述第1外径小且比所述第3内径大的第4外径，具有第3面和与所述第3面对置的第4面，所述第2粘接剂层设置在所述第3面。

2.如权利要求1所述的半导体基板，其中，

所述第1粘接带还具有设置在所述第2面的第3粘接剂层；

所述第3面经由所述第3粘接剂层粘贴在所述第2面。

3.如权利要求1或2所述的半导体基板，其中，

所述基板还具有环状凸部，所述环状凸部沿着所述基板面的外周设置，具有顶上部及将所述顶上部与所述基板面连接的内侧面部，所述顶上部的内径是第5内径；

所述第3内径比所述第5内径大；

所述金属层还遍及所述顶上部的一部分及所述内侧面部设置；

所述第1粘接剂层与设置在所述顶上部的一部分的所述金属层及所述顶上部接触。

4.一种半导体装置的制造方法，其具备：

准备基板的工序，所述基板具有基板面，且具有第1外径，在所述基板面上具有金属层，所述金属层具有比所述第1外径小的第2外径；

将具有第1基材和第1粘接剂层的第1粘接带经由所述第1粘接剂层向所述基板及所述金属层粘贴的工序，所述第1基材具有比所述第2外径大的第3外径，且具有第1面和与所述第1面对置的第2面，所述第1粘接剂层设置在所述第1面；

在所述第1粘接带以使所述金属层的一部分露出的方式形成具有比所述第2外径小的第3内径的孔的工序；以及

将具有第2基材和第2粘接剂层的第2粘接带经由所述第2粘接剂层遍及所述第2面及所述金属层粘贴的工序，所述第2基材具有比所述第3内径大的第4外径，且具有第3面和与所述第3面对置的第4面，所述第2粘接剂层设置在所述第3面。

5.一种半导体装置的制造方法，其具备：

准备基板的工序，所述基板具有基板面，且具有第1外径，在所述基板面上具有金属层，所述金属层具有比所述第1外径小的第2外径；

将具有第1基材和第1粘接剂层的第1粘接带经由所述第1粘接剂层向所述基板及所述金属层粘贴的工序，所述第1基材具有比所述第2外径大的第3外径，且具有第1面、与所述第1面对置的第2面和具有比所述第2外径小的第3内径的孔，所述第1粘接剂层设置在所述第1面；以及

将具有第2基材和第2粘接剂层的第2粘接带经由所述第2粘接剂层遍及所述第2面及所述金属层粘贴的工序，所述第2基材具有比所述第3内径大的第4外径，且具有第3面和与所述第3面对置的第4面，所述第2粘接剂层设置在所述第3面。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

还具备将所述第1粘接带切断为使所述第3外径比所述第1外径小且比所述第2外径大的工序。

7.如权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

还具备将所述第2粘接带切断为使所述第4外径比所述第1外径小且比所述第3内径大的工序。

8.如权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第4外径比所述第1外径小且比所述第3内径大。

9.如权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述基板还具有环状凸部，所述环状凸部沿着所述基板面的外周设置，具有顶上部及将所述顶上部与所述基板面连接的内侧面部，所述顶上部的内径比所述第3内径小；

所述金属层还遍及所述内侧面部及所述顶上部的一部分设置；

所述第1粘接剂层与设置在所述顶上部的一部分的所述金属层及所述顶上部接触。