[发明专利]用于检查晶体管组件的功能性的方法和电子电路在审
| 申请号: | 202110182194.1 | 申请日: | 2021-02-09 |
| 公开(公告)号: | CN113341290A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
| 发明(设计)人: | A·格拉夫 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 闫昊 |
| 地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 检查 晶体管 组件 功能 方法 电子电路 | ||
1.一种用于检查晶体管组件(1)的功能性的方法,其中所述方法包括:
对所述晶体管组件的驱控端子(G,S)之间存在的内部电容(11)的充电状态的第一改变;
基于所述充电状态的所述第一改变,确定所述内部电容(11)的电容值(CGS);
对所述内部电容(11)的所述充电状态的第二改变;以及
基于所确定的所述电容值(CGS)和对所述充电状态的所述第二改变,评估所述驱控端子(G,S)之间存在的内部的电阻(12)的电阻值(RGS)。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述晶体管组件(1)具有阈值电压(Vth),以及
其中,对所述内部电容(11)的所述充电状态进行所述第一改变,使得在所述驱控端子(G,S)之间施加的驱控电压(VGS)与所述阈值电压(Vth)之间的差增大。
3.根据权利要求2所述的方法,
其中,当所述驱控电压(VGS)具有接通电平(VON)时,对所述内部电容(11)的所述充电状态进行所述第一改变和所述第二改变。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,确定所述电容值(CGS)包括:
在对所述充电状态的所述第一改变期间测量一时间段,在该时间段期间,在所述驱控端子(G,S)之间施加的驱控电压(VGS)从第一定义电压电平(V1)改变到第二定义电压电平。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,对所述充电状态的所述第一改变包括:
以基本恒定的充电电流对所述内部电容充电。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,对所述充电状态的所述第一改变包括:
向具有所述内部电容(11)和充电电阻(37)的串联电路施加基本恒定的电压(VSUP2)。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,
其中,对所述充电状态的所述第一改变包括借助于充电脉冲对所述内部电容(11)逐步充电,以及
其中,确定所述电容值(CGS)包括在对所述充电状态的所述第一改变期间的以下一项:
确定一时间段,在该时间段期间,在所述驱控端子(G,S)之间施加的驱控电压(VGS)从第一定义电压电平(V1)改变到第二定义电压电平;或者
确定多个充电脉冲,通过所述充电脉冲,在所述驱控端子(G,S)之间施加的所述驱控电压(VGS)从所述第一定义电压电平(V1)改变到所述第二定义电压电平。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,
其中,对所述内部电容(11)的所述充电状态的所述第二改变包括:
仅通过在所述驱控端子(G,S)之间存在的所述电阻(12)对所述内部电容(11)放电。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,评估所述驱控端子(G,S)之间存在的所述电阻(12)包括:
确定一时间段,在该时间段期间,在所述驱控端子(G,S)之间施加的驱控电压(VGS)从第三定义电压电平(V2)变为第四定义电压电平(V1;V3)。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第三定义电压电平等于所述第一定义电压电平(V1),并且所述第四定义电压电平等于所述第二定义电压电平(V2)。
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