[发明专利]像素阵列及其形成方法在审
申请号: | 202110182034.7 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN113921544A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 谢丰键;郑允玮;李国政;吴振铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 形成 方法 | ||
一种像素阵列及其形成方法,像素阵列包含八边形像素感测器及正方形像素感测器。八边形像素感测器可与正方形像素感测器穿插在像素阵列中,以增加像素阵列中的空间利用且允许像素阵列中的像素感测器不同地设定大小。此外,像素阵列可包含以下的组合:红色、绿色及蓝色像素感测器,以自入射光获得颜色信息;黄色像素感测器,用于像素阵列的蓝色及绿色增强及校正;近红外(NIR)像素感测器,以提高像素阵列的轮廓清晰度及低光表现;及/或白色像素感测器,以提高像素阵列的光敏度及亮度。配置不同大小及类型的像素感测器的能力容许像素阵列形成及/或配置以满足各种表现参数。
技术领域
本揭露是有关于一种像素阵列及其形成方法。
背景技术
互补式金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor;CMOS)影像感测器利用光敏CMOS电路(称为像素感测器)来将光能转换成电能。像素感测器通常包含形成于硅基板中的光二极管。当光二极管曝露于光时,在光二极管中感应出电荷。光二极管可耦合至交换晶体管,该交换晶体管用于对光二极管的电荷进行取样。可通过在CMOS影像感测器的光二极管之上放置滤光器来判定颜色。
发明内容
依据本揭露的一些实施方式,一种像素阵列包含多个八边形像素感测器包含:第一组八边形像素感测器,配置以读出在与蓝光相关联的第一可见光波长范围内的入射光;第二组八边形像素感测器,配置以读出在与红光相关联的第二可见光波长范围内的入射光;及第三组八边形像素感测器,配置以读出在与绿光相关联的第三可见光波长范围内的入射光。像素阵列包含多个正方形像素感测器,多个正方形像素感测器包含以下中的至少一者:第一组正方形像素感测器,配置以读出在与黄光相关联的一第四可见光波长范围内的入射光;第二组正方形像素感测器,配置以读出所有可见光波长的入射光;或第三组正方形像素感测器,配置以读出在NIR波长范围内的入射光。多个正方形像素感测器的至少一子集中的每个正方形像素感测器设置在多个八边形像素感测器的各别子集之间。
依据本揭露的一些实施方式,一种像素阵列包含多个正方形像素感测器。第一组正方形像素感测器配置以读出在与蓝光相关联的第一可见光波长范围内的入射光;第二组正方形像素感测器配置以读出在与红光相关联的第二可见光波长范围内的入射光,且第三组正方形像素感测器配置以读出在与绿光相关联的第三可见光波长范围内的入射光。像素阵列包含多个八边形像素感测器,多个八边形像素感测器包含以下中的至少一者:第一组八边形像素感测器,配置以读出在与黄光相关联的第四可见光波长范围内的入射光;第二组八边形像素感测器,配置以读出所有可见光波长的入射光;或第三组八边形像素感测器,配置以读出在NIR波长范围内的入射光。多个正方形像素感测器的至少一子集中的每个正方形像素感测器设置在多个八边形像素感测器的各别子集之间。
依据本揭露的一些实施方式,一种像素阵列的形成方法包含以下步骤:形成像素阵列的多个八边形像素感测器以使其包含:第一组八边形像素感测器,配置以读出在与蓝光相关联的第一可见光波长范围内的入射光;第二组八边形像素感测器,配置以读出在与红光相关联的第二可见光波长范围内的入射光;第三组八边形像素感测器,配置以读出在与绿光相关联的第三可见光波长范围内的入射光,及以下中的至少一者:第四组八边形像素感测器,配置以读出在与黄光相关联的第四可见光波长范围内的入射光;第五组八边形像素感测器,配置以读出所有可见光波长的入射光;或第六组八边形像素感测器,配置以读出在NIR波长范围内的入射光。此像素阵列的形成方法包含以下步骤:在像素阵列中形成与多个八边形像素感测器穿插的多个正方形像素感测器以使其包含:第一组正方形像素感测器,配置以读出在与蓝光相关联的第一可见光波长范围内的入射光;第二组正方形像素感测器,配置以读出在与红光相关联的第二可见光波长范围内的入射光;第三组正方形像素感测器,配置以读出在与绿光相关联的第三可见光波长范围内的入射光;及以下中的至少一者:第四组正方形像素感测器,配置以读出在与黄光相关联的第四可见光波长范围内的入射光;第五组正方形像素感测器,配置以读出所有可见光波长的入射光,或第六组正方形像素感测器,配置以读出在NIR波长范围内的入射光。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的