[发明专利]像素阵列及其形成方法在审
申请号: | 202110182034.7 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN113921544A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 谢丰键;郑允玮;李国政;吴振铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 形成 方法 | ||
1.一种像素阵列,其特征在于,包含:
多个八边形像素感测器,包含:
一第一组八边形像素感测器,配置以读出在与蓝光相关联的一第一可见光波长范围内的入射光;
一第二组八边形像素感测器,配置以读出在与红光相关联的一第二可见光波长范围内的入射光;及
一第三组八边形像素感测器,配置以读出在与绿光相关联的一第三可见光波长范围内的入射光;及
多个正方形像素感测器,包含以下中的至少一者:
一第一组正方形像素感测器,配置以读出在与黄光相关联的一第四可见光波长范围内的入射光;
一第二组正方形像素感测器,配置以读出所有可见光波长的入射光;或
一第三组正方形像素感测器,配置以读出在一近红外波长范围内的入射光;
其中所述多个正方形像素感测器的至少一子集中的每个正方形像素感测器设置在所述多个八边形像素感测器的一各别子集之间。
2.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述多个八边形像素感测器进一步包含:一第四组八边形像素感测器,配置以读出在与黄光相关联的该第四可见光波长范围内的入射光。
3.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述多个八边形像素感测器进一步包含:一第四组八边形像素感测器,配置以读出所有可见光波长的入射光。
4.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述多个八边形像素感测器进一步包含:一第四组八边形像素感测器,配置以读出在该近红外波长范围内的入射光。
5.一种像素阵列,其特征在于,包含:
多个正方形像素感测器,包含:
一第一组正方形像素感测器,配置以读出在与蓝光相关联的一第一可见光波长范围内的入射光;
一第二组正方形像素感测器,配置以读出在与红光相关联的一第二可见光波长范围内的入射光;及
一第三组正方形像素感测器,配置以读出在与绿光相关联的一第三可见光波长范围内的入射光;及
多个八边形像素感测器,包含以下中的至少一者:
一第一组八边形像素感测器,配置以读出在与黄光相关联的一第四可见光波长范围内的入射光;
一第二组八边形像素感测器,配置以读出所有可见光波长的入射光;或
一第三组八边形像素感测器,配置以读出在一近红外波长范围内的入射光;
其中所述多个正方形像素感测器的至少一子集中的每个正方形像素感测器设置在所述多个八边形像素感测器的一各别子集之间。
6.如权利要求5所述的像素阵列,其特征在于,所述多个正方形像素感测器进一步包含:一第四组正方形像素感测器,配置以读出在与黄光相关联的该第四可见光波长范围内的入射光。
7.如权利要求5所述的像素阵列,其特征在于,所述多个正方形像素感测器进一步包含:一第四组正方形像素感测器,配置以读出所有可见光波长的入射光。
8.如权利要求5所述的像素阵列,其特征在于,所述多个正方形像素感测器进一步包含:一第四组正方形像素感测器,配置以读出在该近红外波长范围内的入射光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的