[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110181003.X | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113284861A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 酒井纯也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
基座板，其具有彼此相反侧的散热面和安装面；
半导体芯片，其安装于所述基座板的所述安装面；
封装材料，其将所述半导体芯片封装；
第1片材，其与所述基座板的所述散热面密接，具有多个开口；以及
第2片材，其覆盖所述第1片材。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个开口的内部是空腔。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述基座板与所述第1片材之间的密接力比所述第1片材与所述第2片材之间的密接力强。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1片材的厚度为70μm～100μm。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述宽带隙半导体是碳化硅、氮化镓类材料或者金刚石。
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