[发明专利]打线、打线封装结构、打线系统及打线方法在审
申请号: | 202110180863.1 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN113013135A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 颜尤龙;博恩·卡尔·艾皮特 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/60 |
代理公司: | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人: | 唐华东 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 系统 方法 | ||
本公开提供了打线、打线封装结构、打线系统及打线方法。通过预先形成与打线键合操作对应的打线,该打线包括非键合区和至少两个键合区,键合区为未包覆绝缘层的干净的纯金属线,而非键合区包覆有绝缘层,且该打线中不存在绝缘层残留物。采用该打线所形成的打线封装结构中,因为没有绝缘残留物,不会影响金属件化合物的形成,进而打线接合强度和可靠度较高。
技术领域
本公开涉及半导体封装技术领域,具体打线、打线封装结构、打线系统及打线方法。
背景技术
半导体封装制程中,经常会涉及将晶片(Die)上的电极与导线架(Frame)或基板(Substrate)上的端子以细金线连接的键合(Wire Bonding)操作,之后还会进行采用封胶树脂材料将晶片进行模封(Molding)的制程,而由于模封制程中的模流(Mold flow)具有方向性,加上细金线具有一定的弧度分布,在模流流经晶片时必然会与细金线触碰,容易造成细金线偏移(wire sweep)现象,其中偏移量超过10%就会导致半导体封装产品失效,尤其在晶片的四个角落更会因为细金线线段较长而导致线与线之间相互接触,最终将使半导体封装结构发生短路的现象。
为此,现在大多采用在细金线外部包覆绝缘材方式来解决线与线接触所发生的短路现象,即便线与线相互接触也会因为包覆绝缘材而防止线路间短路。
发明内容
本公开提出了打线、打线封装结构、打线系统及打线方法。
第一方面,本公开提供了一种打线,所述打线包括有至少两个键合区,其中,所述打线中键合区部分未包覆绝缘层,所述打线中键合区以外的非键合区部分包覆有绝缘层。
在一些可选的实施方式中,所述打线为金线。
在一些可选的实施方式中,所述绝缘层为防焊漆。
第二方面,本公开提供了一种打线封装结构,包括打线、第一焊垫和第二焊垫,其中,所述打线分别与所述第一焊垫和所述第二焊垫形成相应键合区,所述打线中键合区部分未包覆绝缘层,所述打线中键合区以外的非键合区部分包覆有绝缘层。
在一些可选的实施方式中,所述打线为金线。
在一些可选的实施方式中,所述绝缘层为防焊漆。
在一些可选的实施方式中,所述第一焊垫为晶片上的焊垫,所述第二焊垫为封装基板上的焊垫或者导线架上的焊垫。
第三方面,本公开提供了一种打线系统,包括:移除单元与打线单元,所述移除单元包括长度计算模组、移除模组与清洗模组,其中:
所述长度计算模组,被配置成:计算当前打线操作对应的至少两个键合区中每个键合区的位置和长度;
所述移除模组,被配置成:按照所述长度计算模组计算得到的每个键合区的位置和距离,使用激光移除绝缘导线表面的绝缘层;
所述清洗模组,被配置成:清洗所述绝缘导线上所述移除模组移除绝缘层所遗留的绝缘层残留物,以形成打线,所述打线有至少两个键合区,其中,所述打线中键合区部分未包覆绝缘层,所述打线中键合区以外的非键合区部分包覆有绝缘层;
所述打线单元,被配置成:对所述打线按照所述长度计算模组计算得到的每个键合区的位置和距离进行打线键合操作。
在一些可选的实施方式中,所述使用激光移除绝缘导线表面的绝缘层,包括:
使用二氧化碳激光移除绝缘导线表面的绝缘层。
在一些可选的实施方式中,所述清洗所述绝缘导线上所述移除模组移除绝缘层所遗留的绝缘层残留物,包括:
使用电浆清洗所述绝缘导线上所述移除模组移除绝缘层所遗留的绝缘层残留物。
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