[发明专利]一种像素结构、显示基板、显示装置及显示方法在审
申请号: | 202110180456.0 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN112992997A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 左鹏飞;刘华猛;白珊珊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 显示 显示装置 方法 | ||
本申请提供了一种像素结构、显示基板、显示装置及显示方法,其中,像素结构包括位于第一虚拟四边形内的第一子像素,第二子像素和第三子像素;第一子像素分别位于靠近第一虚拟四边形的四条侧边的中点位置处;第二子像素分别位于第一虚拟四边形的四个内角位置处;第一虚拟四边形的两条中线将第一虚拟四边形划分为四个第二虚拟四边形,第三子像素分别位于四个第二虚拟四边形内的第一内角位置处。采用本申请提供的像素结构,相邻的同种子像素之间可以共用掩模板中的一个开孔进行蒸镀,这样,可以缩小同种子像素之间的间距,还可以减少蒸镀引起的位置偏差,进而可以缩小掩模板的开孔间距,从而提高像素开口率,降低高精细金属掩模板的制作难度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种像素结构、显示基板、显示装置及显示方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示器件与传统液晶显示器件相比具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,是当下显示器件研究热门领域之一,在手机,平板电脑领域应用越来越广泛。
目前,在OLED显示器件的制备工艺中,通常采用高精细金属掩模板(Fine MetalMask,FMM),通过真空蒸镀工艺蒸镀有机材料,利用FMM中的开孔控制有机材料的面积和形状来形成有机电致发光结构。由于FMM一般有最小开孔尺寸以及开孔之间最小间距的限制,因此,显示器件的高分辨率和高开口率难以两全其美,即很难在高分辨率的情况下同时保证高开口率,否则容易出现混色等缺陷。
发明内容
本发明提供一种像素结构、显示基板、显示装置及显示方法,以提高显示器件的开口率。
为了解决上述问题,本发明公开了一种像素结构,所述像素结构包括位于第一虚拟四边形内的第一子像素,第二子像素和第三子像素;所述第一子像素分别位于靠近所述第一虚拟四边形的四条侧边的中点位置处;所述第二子像素分别位于所述第一虚拟四边形的四个内角位置处;
所述第一虚拟四边形的两条中线将所述第一虚拟四边形划分为四个第二虚拟四边形,所述第三子像素分别位于四个所述第二虚拟四边形内的第一内角位置处,所述第一内角为所述第二虚拟四边形内靠近所述第一虚拟四边形的中心点的内角,所述中线为连接所述第一虚拟四边形的对边中点的直线。
在一种可选的实现方式中,所述像素结构以所述中线为轴呈轴对称。
在一种可选的实现方式中,所述第一虚拟四边形和所述第二虚拟四边形的形状为正方形,所述第一子像素的形状为矩形,所述第一子像素的长边与所述第一虚拟四边形靠近所述第一子像素的侧边平行,所述第二子像素与所述第三子像素相对的边形状互补。
在一种可选的实现方式中,所述第二子像素的形状为凹多边形,所述第三子像素的形状为凸多边形。
在一种可选的实现方式中,在所述第二虚拟四边形内,所述第二子像素具有与所述第一子像素的短边相对且相互平行的第一对边,所述第一对边的长度等于所述第一子像素的短边长度。
在一种可选的实现方式中,在所述第二虚拟四边形内,所述第一子像素与所述第二子像素之间的间距为第一间距,所述第三子像素具有与所述第一子像素的长边相对且相互平行的第二对边,所述第二对边的长度等于所述第一子像素的长边长度与所述第一间距之和的二分之一。
在一种可选的实现方式中,所述第一子像素的四个角为圆角。
在一种可选的实现方式中,在所述第二虚拟四边形内,所述第一子像素与所述第二子像素之间的间距,所述第一子像素与所述第三子像素之间的间距,以及所述第二子像素与所述第三子像素之间的间距均为第一间距,所述第一间距大于或等于14微米,且小于或等于24微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的