[发明专利]发光芯片以及发光基板在审
| 申请号: | 202110178736.8 | 申请日: | 2021-02-07 |
| 公开(公告)号: | CN114914334A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
| 发明(设计)人: | 岂林霞;马俊杰;卢元达;杨山伟;赵加伟;熊志军;孙海威;时凌云;李金鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;京东方晶芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/62;H01L25/16;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 芯片 以及 | ||
本公开实施例提供一种发光芯片以及发光基板,发光芯片包括衬底基板以及设置在所述衬底基板一侧的至少两个子发光芯片,所述子发光芯片包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层;降低成本,减少线路的电流,降低功耗。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体涉及一种发光芯片及其制备方法、发光基板。
背景技术
由于半导体发光芯片(Light Emitting Diode,LED)具有结构简单、体积小、节能、高效、长寿、光线清晰等优点,近年来已逐渐取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具,正成为新一代照明市场的主流产品,在光电系统中的应用也极为普遍。
随着Mini LED产业的兴起,如何提高模组性能成为各家追求的目标。根据模组的形式的不同,可以将Mini LED分为背光源和显示模组两个技术实现形式。其中,发光芯片作为基本发光单元,其性能直接影响到产品性能。
传统单颗发光芯片需工作在高电流密度下才能获得较大的光功率,此时器件效率会遭受严重的droop效应,导致其发光效率降低。
发明内容
本公开实施例提供一种发光芯片以及发光基板,降低成本,减少线路的电流,降低功耗。
第一方面,本公开实施例提供了一种发光芯片,其特征在于,包括衬底基板以及设置在所述衬底基板一侧的至少两个子发光芯片,所述子发光芯片包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层。
在示例性实施方式中,所述至少两个子发光芯片串联形成子发光芯片串联组,所述发光芯片还包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述子发光芯片串联组第一端的子发光芯片连接,所述第二电极与所述子发光芯片串联组第二端的子发光芯片连接。
在示例性实施方式中,所述子发光芯片还包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述子发光芯片的第一半导体层连接,所述第二电极与所述子发光芯片的第二半导体层连接。
在示例性实施方式中,所述子发光芯片串联组中任意一个子发光芯片在所述衬底基板的垂直投影与所述第一电极和所述第二电极中的至少一者在所述衬底基板的垂直投影交叠。
在示例性实施方式中,在平行于所述衬底基板方向,所述子发光芯片串联组中的子发光芯片沿着所述衬底基板的第一方向并排排布;或者,所述子发光芯片呈三角形排布;或者,所述子发光芯片呈矩形排布。
在示例性实施方式中,还包括设置于所述衬底基板一侧的串联电极,所述串联电极的第一端与相邻子发光芯片中一个的第一半导体层连接,所述串联电极的第二端与相邻子发光芯片中另一个的第二半导体层连接。
在示例性实施方式中,在垂直于所述衬底基板方向,所述串联电极的第一端与相邻子发光芯片中一个的第二半导体层之间设置有第一绝缘层;和/或,所述串联电极的第二端与相邻子发光芯片中另一个的第一半导体层之间设置有第一绝缘层。
在示例性实施方式中,在垂直于所述衬底基板方向,所述第一电极和所述第二电极位于所述第二半导体层远离所述发光层一侧,所述第一电极和所述第二电极与所述第二半导体层之间设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层中设置有将所述子发光芯片串联组第一端的子发光芯片暴露的第一过孔,以及将所述子发光芯片串联组第二端的子发光芯片暴露的第二过孔,所述第一电极通过所述第一过孔与所述子发光芯片串联组第一端的子发光芯片连接,所述第二电极通过所述第二过孔与所述子发光芯片串联组第二端的子发光芯片连接。
在示例性实施方式中,所述第二绝缘层采用反光材质。
在示例性实施方式中,所述子发光芯片为矩形或三角形。
第二方面,本公开实施例提供了一种发光基板,包括驱动背板以及设置于所述驱动背板一侧的如权利要求2或3所述的发光芯片。
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