[发明专利]发光芯片以及发光基板在审
| 申请号: | 202110178736.8 | 申请日: | 2021-02-07 |
| 公开(公告)号: | CN114914334A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
| 发明(设计)人: | 岂林霞;马俊杰;卢元达;杨山伟;赵加伟;熊志军;孙海威;时凌云;李金鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;京东方晶芯科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/62;H01L25/16;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 芯片 以及 | ||
1.一种发光芯片,其特征在于,包括衬底基板以及设置在所述衬底基板一侧的至少两个子发光芯片,所述子发光芯片包括层叠设置的第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层。
2.根据权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,所述至少两个子发光芯片串联形成子发光芯片串联组,所述发光芯片还包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述子发光芯片串联组第一端的子发光芯片连接,所述第二电极与所述子发光芯片串联组第二端的子发光芯片连接。
3.根据权利要求1所述的发光芯片,其特征在于,所述子发光芯片还包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述子发光芯片的第一半导体层连接,所述第二电极与所述子发光芯片的第二半导体层连接。
4.根据权利要求2所述的发光芯片,其特征在于,所述子发光芯片串联组中任意一个子发光芯片在所述衬底基板的垂直投影与所述第一电极和所述第二电极中的至少一者在所述衬底基板的垂直投影交叠。
5.根据权利要求2所述的发光芯片,其特征在于,在平行于所述衬底基板方向,所述子发光芯片串联组中的子发光芯片沿着所述衬底基板的第一方向并排排布;或者,所述子发光芯片呈三角形排布;或者,所述子发光芯片呈矩形排布。
6.根据权利要求2所述的发光芯片,其特征在于,还包括设置于所述衬底基板一侧的串联电极,所述串联电极的第一端与相邻子发光芯片中一个的第一半导体层连接,所述串联电极的第二端与相邻子发光芯片中另一个的第二半导体层连接。
7.根据权利要求6所述的发光芯片,其特征在于,在垂直于所述衬底基板方向,所述串联电极的第一端与相邻子发光芯片中一个的第二半导体层之间设置有第一绝缘层;和/或,所述串联电极的第二端与相邻子发光芯片中另一个的第一半导体层之间设置有第一绝缘层。
8.根据权利要求2所述的发光芯片,其特征在于,在垂直于所述衬底基板方向,所述第一电极和所述第二电极位于所述第二半导体层远离所述发光层一侧,所述第一电极和所述第二电极与所述第二半导体层之间设置有第二绝缘层,所述第二绝缘层中设置有将所述子发光芯片串联组第一端的子发光芯片暴露的第一过孔,以及将所述子发光芯片串联组第二端的子发光芯片暴露的第二过孔,所述第一电极通过所述第一过孔与所述子发光芯片串联组第一端的子发光芯片连接,所述第二电极通过所述第二过孔与所述子发光芯片串联组第二端的子发光芯片连接。
9.根据权利要求8所述的发光芯片,其特征在于,所述第二绝缘层采用反光材质。
10.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,所述子发光芯片为矩形或三角形。
11.一种发光基板,其特征在于,包括驱动背板以及设置于所述驱动背板一侧的如权利要求2或3所述的发光芯片。
12.根据权利要求11所述的发光基板,其特征在于,所述发光芯片为权利要求3所述的发光芯片,所述驱动背板上设置有焊盘单元,所述焊盘单元包括多个串联的焊盘组,所述发光芯片中子发光芯片与所述焊盘组一一对应,所述发光芯片中子发光芯片与所述焊盘组连接。
13.根据权利要求12所述的发光基板,其特征在于,所述焊盘组包括相对设置的第一焊盘和第二焊盘,所述子发光芯片中的第一电极与所述第一焊盘连接,所述子发光芯片中的第二电极与所述第二焊盘连接。
14.根据权利要求12所述的发光基板,其特征在于,所述焊盘单元沿着所述驱动背板的第一方向并排排布形成焊盘单元行,所述焊盘单元行中的焊盘单元串联。
15.根据权利要求14所述的发光基板,其特征在于,所述驱动背板上设置有第一引线和第二引线,所述第一引线与所述焊盘单元行第一端的焊盘单元连接,所述第二引线与所述焊盘组行第二端的焊盘单元连接。
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