[发明专利]一种用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置及检测方法有效
申请号: | 202110178233.0 | 申请日: | 2021-02-09 |
公开(公告)号: | CN112986288B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 陈东风;魏国海;孙凯;刘蕴韬;贺林峰;武梅梅;李正耀;焦学胜;郝丽杰;李玉庆;韩松柏;王洪立;王雨 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院 |
主分类号: | G01N23/05 | 分类号: | G01N23/05 |
代理公司: | 北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司 11493 | 代理人: | 王鹏鑫 |
地址: | 102413 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 放射性 样品 直接 中子 照相 无损 检测 装置 方法 | ||
本发明公开了一种用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置,包括:中子源、样品台、中子光路传输系统和中子探测系统。所述中子源、所述样品台、所述中子光路传输系统和所述中子探测系统沿着第一方向依次排布设置。通过在样品台和中子探测系统之间设置中子光路传输系统,并可根据检测样品的性质等来设置中子光路传输系统的长度,从而拉长了检测样品和中子探测系统之间的距离,可以极大地降低检测样品的放射性对中子成像探测系统的影响,几乎不会影响中子探测系统的检测成像。如此,本发明的用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置,可以利用直接中子成像方法针对放射性样品进行中子照相无损检测。
技术领域
本发明涉及放射性材料检测技术领域,具体涉及一种用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置及检测方法。
背景技术
中子照相技术是一种无损检测技术。由于中子具有深穿透、可区分同位素和临近元素等优势,中子照相技术有着广泛的应用。中子照相技术可以分为直接中子成像方法和间接中子成像方法。其中,直接中子成像方法的应用更为广泛。然而,在直接中子成像方法中,中子成像探测系统距离样品通常很近,无法针对放射性样品进行中子照相无损检测。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置及检测方法,可以利用直接中子成像方法针对放射性样品进行中子照相无损检测。
为实现上述目的,本发明提供了一种用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置,包括:中子源,用于产生中子照相无损检测的中子束流;样品台,用于放置检测样品;中子光路传输系统,用于供中子束流传输;和中子探测系统,用于接收中子束流并记录检测成像信息。其中,所述中子源、所述样品台、所述中子光路传输系统和所述中子探测系统沿着第一方向依次排布设置。
本发明提供了一种用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测方法,包括:沿着第一方向依次排布设置中子源、样品台、中子光路传输系统和中子探测系统;将检测样品放置在所述样品台上,启动所述中子源产生中子束流,并控制中子束流穿透检测样品并进入所述中子光路传输系统传输;所述中子探测系统接收从所述中子光路传输系统出射的中子束流,并记录检测成像信息。
如上所述,本发明提供一种用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置及检测方法,通过在样品台和中子探测系统之间设置中子光路传输系统,并可根据检测样品的性质等来设置中子光路传输系统的长度,从而拉长了检测样品和中子探测系统之间的距离,可以极大地降低检测样品的放射性对中子成像探测系统的影响,几乎不会影响中子探测系统的检测成像。如此,本发明的用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置,可以利用直接中子成像方法针对放射性样品进行中子照相无损检测。
附图说明
通过下文中参照附图对本发明所作的描述,本发明的其它目的和优点将显而易见,并可帮助对本发明有全面的理解。
图1是根据本发明的一些实施例的用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置的结构示意图;
图2是根据本发明的一些实施例的用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置的使用过程示意图;
图3是根据本发明的一些实施例的用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测方法的流程示意图;
图4是根据本发明的一些实施例的用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测方法的流程示意图;
图5是根据本发明的一些实施例的用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测方法的流程示意图。
需要说明的是,附图并不一定按比例来绘制,而是仅以不影响读者理解的示意性方式示出。
附图标记说明:
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