[发明专利]阵列基板及制备方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 202110177000.9 申请日: 2021-02-07
公开(公告)号: CN112992934B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 胡小波 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12;G02F1/1368
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 何志军
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 制备 方法 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:

衬底;

第一导电层,位于所述衬底上;所述第一导电层包括第一导电材料和第二导电材料,所述第二导电材料与所述衬底的粘附性强于所述第一导电材料与所述衬底的粘附性;所述第一导电层包括靠近所述衬底的第一部分和远离所述衬底的第二部分,所述第二导电材料在所述第一部分中的含量高于所述第一导电材料在所述第一部分中的含量,所述第一导电材料在所述第一部分中的浓度由远离所述衬底的一侧至靠近所述衬底的一侧逐渐减小,所述第一部分为所述第一导电材料和所述第二导电材料形成的复合膜层,所述第二部分包括第一导电材料。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括覆盖所述第一导电层的第一绝缘层和设置于所述第一绝缘层上的半导体层,所述半导体层与所述第一导电层对应设置。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于所述第一绝缘层上的第二导电层,所述第二导电层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极分别与所述半导体层的相对两端电性连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括覆盖所述第二导电层和所述半导体层的第二绝缘层、以及设置于所述第二绝缘层上的像素电极层,所述像素电极层通过所述第二绝缘层上的过孔与所述漏极电性连接。

5.根据权利要求1至4中任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电材料包括铜;所述第二导电材料包括钛、钼钛合金、钽、钨、钼铌合金、钼钽合金中的一种或多种。

6.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:

在衬底上沉积第二导电材料,形成第一膜层;

在所述第一膜层上沉积第一导电材料,形成第二部分;

热处理所述第一膜层和所述第二部分,所述第一导电材料在热处理的作用下向所述第一膜层扩散形成第一部分,所述第一导电材料在所述第一部分中的浓度由远离所述衬底的一侧至靠近所述衬底的一侧逐渐减小,所述第一部分为所述第一导电材料和所述第二导电材料形成的复合膜层,所述第二部分包括第一导电材料;

对所述第一部分和所述第二部分进行图案化处理,形成第一导电层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一导电材料包括铜;所述第二导电材料包括钛、钼钛合金、钽、钨、钼铌合金、钼钽合金中的一种或多种。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,热处理所述第一膜层和所述第二部分的温度大于或等于150℃,且小于或等于400℃。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司,未经TCL华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110177000.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top