[发明专利]阵列基板及制备方法、显示面板有效
申请号: | 202110177000.9 | 申请日: | 2021-02-07 |
公开(公告)号: | CN112992934B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 胡小波 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/12;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何志军 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
第一导电层,位于所述衬底上;所述第一导电层包括第一导电材料和第二导电材料,所述第二导电材料与所述衬底的粘附性强于所述第一导电材料与所述衬底的粘附性;所述第一导电层包括靠近所述衬底的第一部分和远离所述衬底的第二部分,所述第二导电材料在所述第一部分中的含量高于所述第一导电材料在所述第一部分中的含量,所述第一导电材料在所述第一部分中的浓度由远离所述衬底的一侧至靠近所述衬底的一侧逐渐减小,所述第一部分为所述第一导电材料和所述第二导电材料形成的复合膜层,所述第二部分包括第一导电材料。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括覆盖所述第一导电层的第一绝缘层和设置于所述第一绝缘层上的半导体层,所述半导体层与所述第一导电层对应设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置于所述第一绝缘层上的第二导电层,所述第二导电层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极分别与所述半导体层的相对两端电性连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括覆盖所述第二导电层和所述半导体层的第二绝缘层、以及设置于所述第二绝缘层上的像素电极层,所述像素电极层通过所述第二绝缘层上的过孔与所述漏极电性连接。
5.根据权利要求1至4中任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电材料包括铜;所述第二导电材料包括钛、钼钛合金、钽、钨、钼铌合金、钼钽合金中的一种或多种。
6.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。
7.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底上沉积第二导电材料,形成第一膜层;
在所述第一膜层上沉积第一导电材料,形成第二部分;
热处理所述第一膜层和所述第二部分,所述第一导电材料在热处理的作用下向所述第一膜层扩散形成第一部分,所述第一导电材料在所述第一部分中的浓度由远离所述衬底的一侧至靠近所述衬底的一侧逐渐减小,所述第一部分为所述第一导电材料和所述第二导电材料形成的复合膜层,所述第二部分包括第一导电材料;
对所述第一部分和所述第二部分进行图案化处理,形成第一导电层。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一导电材料包括铜;所述第二导电材料包括钛、钼钛合金、钽、钨、钼铌合金、钼钽合金中的一种或多种。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,热处理所述第一膜层和所述第二部分的温度大于或等于150℃,且小于或等于400℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的