[发明专利]一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构有效
申请号: | 202110174599.0 | 申请日: | 2021-02-07 |
公开(公告)号: | CN112532201B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 安虹瑾;董元旦;杨涛;安建光;赵孟娟 | 申请(专利权)人: | 成都频岢微电子有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/56 |
代理公司: | 成都拓荒者知识产权代理有限公司 51254 | 代理人: | 邹广春 |
地址: | 611730 四川省成都市郫都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 提高 表面波 接收 滤波器 抑制 layout 结构 | ||
本发明涉及滤波器领域,具体涉及一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构,技术方案包括:所述layout结构包括环形金属导体、设置于滤波器外环,所述环形金属导体连接所述滤波器多个接地端,在滤波器外环设置环形金属导体,将多个接地端连接在一起,形成另一共地连接端,在接地端之间引入新的电感,从而在高频段产生一个或者多个零点,有效的改善了滤波器高频的抑制,并且不影响通带特性。
技术领域
本发明属于滤波器领域,具体涉及一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构。
背景技术
设计声表面滤波器主要有梯型滤波器和DMS型滤波器,广泛应用于接收滤波器中,接收滤波器对高频段的抑制效果有较高的性能要求。接收滤波器的设计制作,一般是根据使用场景进行具体设计,但是在高频段的抑制是难点。
发明内容
本发明提供一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构,使高频段的抑制大大提升,并且保证了通带的性能,所述layout结构包括环形金属导体,所述环形金属导体设置于滤波器外环,所述环形金属导体连接所述滤波器的多个接地端。
优选的,所述金属导体为导体带。
优选的,所述导体带上设置有朝向滤波器一侧的凸起,所述凸起填充所述滤波器与导体带之间的空隙。
优选的,所述导体带上设置有曲折段。
优选的,所述layout结构设置于滤波器密封装置上。
优选的,所述环形金属导体材质为铜质。
优选的,所述滤波器为DMS型滤波器,所述环形金属导体连接所述DMS型滤波器DMS内部接地端和并联臂的接地端。
优选的,所述滤波器为梯型滤波器,所述环形金属导体连接所述梯型滤波器多个并联臂的接地端。
本发明具有以下有益效果:在滤波器外环设置环形金属导体,将接地端连接在一起,形成另一共地连接端,在接地端之间引入新的电感,而在高频段产生一个或者多个零点,有效的改善了滤波器高频的抑制,并且不影响通带特性。
附图说明
图1为现有技术中常规DMS型滤波器结构简图;
图2为现有技术中DMS型滤波器偶数阶谐振结构、偶数阶谐振结构分别共地结构简图;
图3为图2中DMS型滤波器结构示意图;
图4为本发明实施例中DMS型滤波器加入导体带的结构示意图;
图5为本发明实施例中导体带上设置有凸起的结构示意图;
图6为本发明实施例中导体带上设置有曲折段的结构示意图;
图7为本发明实施例中梯型滤波器加入导体带的结构示意图;
图8为图3、4、5实施例中DMS型滤波器S参数仿真结果示意图;
图9为本发明实施例中导体带上设置凸起和/或曲折段后与常规结构的S参数仿真结果示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。若未特别指明,实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
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