[发明专利]带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件及制备方法在审
| 申请号： | 202110174578.9 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112838126A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 施广彦;秋琪;李昀佶 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽 对称 碳化硅 umosfet 器件 制备 方法 | ||
1.一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件，其特征在于：包括一第二金属，所述第二金属作为漏电极；
一N+衬底，所述N+衬底一面连接至所述第二金属；
一N-外延层，所述N+衬底另一面连接至所述N-外延层；
一第一P+注入区，所述第一P+注入区形状为L形，所述第一P+注入区连接所述N-外延层；
一第二P+注入区，所述第二P+注入区形状为L形，所述第二P+注入区连接所述N-外延层；
一第一P-阱区，所述第一P-阱区连接至所述第二P+注入区以及N-外延层；
一第一N+注入区，所述第一N+注入区连接至所述第一P-阱区；
一第一沟槽，所述第一沟槽分别连接所述N-外延层、第一P+注入区、第一P-阱区以及第一N+注入区；
一第二沟槽，所述第二沟槽分别连接所述第二P+注入区、第一P-阱区以及第一N+注入区；
一栅介质层，覆盖所述第一沟槽侧面和槽底上表面；
一栅极，覆盖所述栅介质层上表面且填充所述第一沟槽；
一第一金属，所述第一金属覆盖第一N+注入区上表面设定位置、第一N+注入区侧表面、第一P-阱区侧表面和第二P+注入区上表面以形成欧姆接触。
2.如权利要求1所述的一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件，其特征在于：所述第一沟槽深度在1μm～3μm，宽度0.5μm～2μm；所述第二沟槽深度在1μm～3μm，宽度0.5μm～2μm。
3.如权利要求1所述的一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件，其特征在于：所述第一P+注入区深度在1.5μm～3μm，宽度0.8μm～2μm；所述第二P+注入区深度在2μm～3μm，宽度1μm～2μm。
4.如权利要求1所述的一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件，其特征在于：所述第一P-阱区深度在0.3μm～1.0μm，宽度0.3μm～1μm；所述第一N+注入区深度在0.1μm～0.5μm，宽度0.3μm～1μm。
5.如权利要求1所述的一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件，其特征在于：所述第一P+注入区的深度大于所述第一沟槽的深度，所述第二P+注入区的深度大于所述第二沟槽的深度。
6.如权利要求1所述的一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件，其特征在于：所述第一沟槽和第二沟槽的深度大于所述第一P-阱区的深度。
7.如权利要求1所述的一种带屏蔽区的非对称碳化硅MOSFET器件，其特征在于：所述第一P+注入区左侧和第一沟槽右侧的间距在0.5μm～0.7μm。
8.如权利要求1所述的一种带屏蔽区的非对称碳化硅UMOSFET器件，其特征在于：所述第二P+注入区右侧和第一沟槽左侧的间距在0.1μm～0.3μm。
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