[发明专利]移除抗蚀剂层的方法及制造半导体结构的方法

说明书

提供一种包括以下步骤的移除抗蚀剂层的方法。在材料层上形成图案化抗蚀剂层。对图案化抗蚀剂层施加剥除溶液以溶解图案化抗蚀剂层而不溶解材料层，其中剥除溶液包含非二甲亚砜溶剂及碱性化合物，非二甲亚砜溶剂包含非质子溶剂及质子溶剂。

技术领域

本发明的实施例涉及移除抗蚀剂层的方法及制造半导体结构的方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，需要将更多的功能集成到半导体管芯中。因此，半导体管芯需要将越来越大数目的输入/输出(I/O)接垫包装至更小的面积中，且输入/输出接垫的密度随着时间迅速上升。因此，对半导体管芯的封装变得更困难，此会不利地影响封装的良率(yield)。目前，集成扇出型封装变得越来越流行，这是因为管芯上的输入/输出接垫可被重布到比管芯大的面积，且因此包装在管芯的表面上的输入/输出接垫的数目可增加。这种封装技术的另一个有利特征是“已知良好的管芯”被封装，而有缺陷的管芯被丢弃，且因此成本及努力不会浪费在有缺陷的管芯上。

发明内容

本发明实施例提供一种移除抗蚀剂层的方法，其至少包括以下步骤。在材料层上形成图案化抗蚀剂层。对所述图案化抗蚀剂层施加剥除溶液以溶解所述图案化抗蚀剂层而不溶解所述材料层，其中所述剥除溶液包含非二甲亚砜溶剂及碱性化合物，所述非二甲亚砜溶剂包含非质子溶剂及质子溶剂。

本发明实施例提供一种制造半导体结构的方法，其至少包括以下步骤。形成晶种层。在所述晶种层上形成图案化掩模层，其中所述图案化掩模层具有暴露出所述晶种层的多个开口。在所述多个开口中形成多个金属图案。通过施加剥除溶液以使所述图案化掩模层断裂成碎片并将所述图案化掩模层的所述碎片溶解在所述剥除溶液中，对所述图案化掩模层执行剥除工艺，其中所述剥除溶液包含非二甲亚砜溶剂及碱性化合物，所述非二甲亚砜溶剂包含非质子溶剂及质子溶剂。

本发明实施例提供一种制造半导体结构的方法，其至少包括以下步骤。在载体上形成多个导电穿孔。在所述载体上设置管芯。用包封体在侧向上包封所述管芯及所述多个导电穿孔，其中在所述载体上形成所述多个导电穿孔包括：在所述载体上依序形成晶种层及抗蚀剂层；对所述抗蚀剂层进行图案化以形成暴露出所述晶种层的多个开口；在所述多个开口中形成多个金属图案；以及用剥除溶液执行剥除工艺以移除经图案化的所述抗蚀剂层，其中所述剥除溶液包含非二甲亚砜溶剂及碱性化合物，所述非二甲亚砜溶剂包含非质子溶剂及质子溶剂。

附图说明

接合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1L是根据本公开一些实施例的制造封装结构的方法中的各个阶段的示意性剖视图。

图2A是示出根据本公开一些实施例的图1E的阶段中的结构的一部分的示意性俯视图。

图2B是示出根据本公开一些实施例的图1F的阶段中的结构的一部分的示意性俯视图。

图3A到图3E是根据本公开一些实施例的图1D中的图案化抗蚀剂层的剥除工艺中的各个步骤的示意性剖视图。

图4是根据本公开一些替代实施例的封装结构的示意性剖视图。

图5是根据本公开一些替代实施例的封装结构的示意性剖视图。

图6是根据本公开一些替代实施例的封装结构的示意性剖视图。

图7是根据本公开一些替代实施例的封装结构的示意性剖视图。

图8是根据本公开一些替代实施例的封装结构的示意性剖视图。

图9是根据本公开一些替代实施例的封装结构的示意性剖视图。

图10是根据本公开一些替代实施例的封装结构的示意性剖视图。