[发明专利]移除抗蚀剂层的方法及制造半导体结构的方法

权利要求书

1.一种移除抗蚀剂层的方法，包括：

在材料层上形成图案化抗蚀剂层；以及

对所述图案化抗蚀剂层施加剥除溶液以溶解所述图案化抗蚀剂层而不溶解所述材料层，其中所述剥除溶液包含非二甲亚砜溶剂及碱性化合物，所述非二甲亚砜溶剂包含非质子溶剂及质子溶剂。

2.根据权利要求1所述的移除抗蚀剂层的方法，其中所述非质子溶剂包括N-甲基吡咯烷酮(NMP)、四氢呋喃(THF)、二甲基甲酰胺(DMF)、乙腈(MeCN)或二氯甲烷(DCM)，其中所述质子溶剂包括烷醇胺溶剂，其中所述碱性化合物包括四甲基氢氧化铵(TMAH)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)或其组合。

3.根据权利要求1所述的移除抗蚀剂层的方法，其中以所述剥除溶液的总重量计，所述非质子溶剂的量为20重量％到70重量％，所述质子溶剂的量为20重量％到70重量％，所述碱性化合物的量为0.5重量％到5.5重量％。

4.根据权利要求1所述的移除抗蚀剂层的方法，其中所述非质子溶剂的量与所述质子溶剂的量的比率介于1:3.5到3.5:1范围内。

5.一种制造半导体结构的方法，包括：

形成晶种层；

在所述晶种层上形成图案化掩模层，其中所述图案化掩模层具有暴露出所述晶种层的多个开口；

在所述多个开口中形成多个金属图案；以及

通过施加剥除溶液以使所述图案化掩模层断裂成碎片并将所述图案化掩模层的所述碎片溶解在所述剥除溶液中，对所述图案化掩模层执行剥除工艺，其中所述剥除溶液包含非二甲亚砜溶剂及碱性化合物，所述非二甲亚砜溶剂包括非质子溶剂及质子溶剂。

6.根据权利要求5所述的制造半导体结构的方法，其中所述非质子溶剂包括N-甲基吡咯烷酮(NMP)、四氢呋喃(THF)、二甲基甲酰胺(DMF)、乙腈(MeCN)或二氯甲烷(DCM)，所述质子溶剂包括乙醇胺(MEA)、甲基乙醇胺、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇或二乙醇胺，所述碱性化合物包括四甲基氢氧化铵(TMAH)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)或其组合，且以所述剥除溶液的总重量计，所述非质子溶剂的量为20重量％到70重量％，所述质子溶剂的量为20重量％到70重量％，所述碱性化合物的量为0.5重量％到5.5重量％。

7.根据权利要求5所述的制造半导体结构的方法，其中所述图案化掩模层的材料包括含酯基的抗蚀剂材料。

8.根据权利要求5所述的制造半导体结构的方法，其中在所述剥除工艺期间，所述碱性化合物渗透到所述图案化掩模层中，以使所述图案化掩模层的交联结构断裂。

9.一种制造半导体结构的方法，包括：

在载体上形成多个导电穿孔；

在所述载体上设置管芯；以及

用包封体在侧向上包封所述管芯及所述多个导电穿孔，其中在所述载体上形成所述多个导电穿孔包括：

在所述载体上依序形成晶种层及抗蚀剂层；

对所述抗蚀剂层进行图案化以形成暴露出所述晶种层的多个开口；

在所述多个开口中形成多个金属图案；以及

用剥除溶液执行剥除工艺以移除经图案化的所述抗蚀剂层，其中所述剥除溶液包含非二甲亚砜溶剂及碱性化合物，所述非二甲亚砜溶剂包含非质子溶剂及质子溶剂。

10.根据权利要求9所述的制造半导体结构的方法，其中所述剥除工艺的工艺时间介于1分钟到180分钟范围内，且所述剥除工艺的工艺温度介于25℃到100℃范围内。