[发明专利]一种铸造单晶硅片的分类方法

说明书

本发明涉及一种铸造单晶硅片的分类方法，它包括如下步骤，A腐蚀，将铸造单晶硅片浸泡在腐蚀液中进行腐蚀；B酸洗，将经步骤A腐蚀处理的铸造单晶硅片进行酸洗；C水洗，将经步骤B酸洗处理的铸造单晶硅片进行水洗；D烘干，将经步骤C水洗处理的铸造单晶硅片进行烘干；E分类，将经步骤D烘干处理的铸造单晶硅片根据外观形态进行分类。本发明的目的在于提供一种铸造单晶硅片的分类方法，其成本低，能快速准确的区分硅片质量，以提高批量生产中太阳能电池片的良率。

技术领域

本发明涉及一种铸造单晶硅片的分类方法。

背景技术

光伏行业中，单晶硅和多晶硅两种晶硅材料是用于制备太阳电池的主要材料。用单晶硅制备电池，电池的转换效率高，但其单次投料少，成本较高；用多晶硅制备电池，单次投料大，工艺成本低，但其杂质含量及缺陷密度高，转换效率较低。

铸造单晶硅材料，是介于单晶硅和多晶硅之间的一种材料。它结合了单晶硅与多晶硅的优势，具有更少的结构缺陷，如晶界、位错、层错等，同时由于采用铸锭的方法生成，成本远低于单晶硅材料，因此铸造单晶硅太阳电池成为未来太阳电池发展的方向。

目前，铸造单晶硅片的制备技术已逐渐成熟，部分企业已经开始将其批量生产。但是同一批外观相同的硅片制备成电池之后，效率相差太大，难以实现高效电池片的大批量生产。

发明内容

本发明的目的在于提供一种铸造单晶硅片的分类方法，其成本低，能快速准确的区分硅片质量，以提高批量生产中太阳能电池片的良率。

本发明的目的通过如下技术方案实现：

一种铸造单晶硅片的分类方法，它包括如下步骤

A腐蚀，将铸造单晶硅片浸泡在腐蚀液中进行腐蚀；

B酸洗，将经步骤A腐蚀处理的铸造单晶硅片进行酸洗；

C水洗，将经步骤B酸洗处理的铸造单晶硅片进行水洗；

D烘干，将经步骤C水洗处理的铸造单晶硅片进行烘干；

E分类，将经步骤D烘干处理的铸造单晶硅片根据外观形态进行分类。

较之现有技术而言，本发明的优点在于：

(1)它能快速准确的区分硅片质量，分类准确，成本低，提高太阳能电池生产良率。

(2)通过化学腐蚀方法来显示铸造单晶硅片的表面缺陷部分，与PL(光致发光)技术相比，操作成本低，且快速准确。

(3)根据铸造单晶硅片显现出的表面缺陷面积比例来对硅片进行分类，并与分选硅片设备结合，可以实现硅片的全自动生产化分类需求，有利于生产方式的推广与设备的适用，同时降低了硅片下游电池片的不良率，提升竞争力。

附图说明

图1是本发明一种铸造单晶硅片的分类方法的流程示意图。

图2是铸造单晶硅片原片。

图3是经本分类方法处理后的铸造单晶硅片。

具体实施方式

下面结合说明书附图和实施例对本发明内容进行详细说明：

如图1至图3所示为本发明提供的一种铸造单晶硅片的分类方法的实施例示意图。

一种铸造单晶硅片的分类方法，其特征在于：它包括如下步骤

A腐蚀，将铸造单晶硅片浸泡在腐蚀液中进行腐蚀，以在铸造单晶硅片上显现出表面缺陷部分；所述的表面缺陷包含晶界、位错、堆垛层错、小角度亚晶粒晶界、滑移等；

B酸洗，将经步骤A腐蚀处理的铸造单晶硅片进行酸洗，以去除表面的氧化层；