[发明专利]柔性半导体薄膜的转印方法、装置及液滴印章

说明书

本公开涉及一种柔性半导体薄膜的转印方法、装置及液滴印章，该方法包括：在印章承载体上形成第一液滴，得到液滴印章；控制液滴印章靠近柔性半导体薄膜，以利用第一液滴在柔性半导体薄膜与印章承载体之间形成第一液桥；移动液滴印章，并利用第一液桥将柔性半导体薄膜吸附到液滴印章上；在柔性衬底上形成第二液滴；控制液滴印章靠近第二液滴，以利用第二液滴在柔性衬底和柔性半导体薄膜之间形成第二液桥；移动液滴印章，利用第二液桥将柔性半导体薄膜吸附到柔性衬底上、并使柔性半导体薄膜与液滴印章分离，完成柔性半导体薄膜的转印，该方法能够避免半导体薄膜在转印过程中被损坏，并且能够高效率制备混合集成柔性器件。

技术领域

本公开涉及柔性电子领域，尤其涉及一种柔性半导体薄膜的转印方法、装置及液滴印章。

背景技术

柔性电子器件作为新型半导体器件，已在临床监测等方面应用取得巨大突破。柔性电子器件可以使用不同的功能材料进行制作，例如，通常采用氮化镓GaN或砷化镓GaAs来制造发光元件，为了在软衬底上集成发光元件制备出柔性光检测器，将发光元件进行处理形成具有发光功能的柔性半导体薄膜，再将柔性半导体薄膜转印至硅晶片是一种有效的技术方案。

而在相关技术中，将柔性半导体薄膜转印至衬底的过程中，往往会存在柔性半导体薄膜因受到平面拉伸力的影响而被损坏的问题，并且，目前的转印技术也不适用于混合集成不同半导体薄膜的柔性电子器件。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种柔性半导体薄膜的转印方法、装置及液滴印章，能够解决现有技术中使用橡胶印章等而造成的半导体薄膜损坏的问题，并且本公开提供的转印方法能够高效率制备混合集成柔性器件。

根据本公开的第一方面，提供了一种柔性半导体薄膜的转印方法，包括：

在印章承载体的第一区域上形成第一液滴，得到液滴印章；

控制所述液滴印章靠近柔性半导体薄膜，以利用所述液滴印章上的第一液滴在所述柔性半导体薄膜与所述印章承载体之间形成第一液桥；

移动所述液滴印章，并利用所述第一液桥将所述柔性半导体薄膜吸附到所述液滴印章上；

在柔性衬底的第二区域上形成第二液滴；

控制所述液滴印章靠近所述第二液滴，以利用所述柔性衬底上的第二液滴在所述柔性衬底和所述柔性半导体薄膜之间形成第二液桥；

移动所述液滴印章，利用所述第二液桥将所述柔性半导体薄膜吸附到所述柔性衬底上、并使所述柔性半导体薄膜与所述液滴印章分离，完成所述柔性半导体薄膜的转印，

其中，所述柔性半导体薄膜与所述印章承载体之间因所述第一液桥产生的第一吸附力，小于所述柔性半导体薄膜与所述柔性衬底之间因所述第二液桥产生的第二吸附力。

在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：

在完成所述柔性半导体薄膜的转印后，对所述柔性衬底和柔性半导体薄膜进行处理，以去除所述柔性衬底和所述柔性半导体薄膜上的残留液体；

对所述柔性半导体薄膜和所述柔性衬底进行封装，

其中，所述残留液体包括所述第一液滴中的部分液体和所述第二液滴中的液体。

在一种可能的实现方式中，在所述第一液滴与所述第二液滴的材料相同时，所述第一液桥的高度大于所述第二液桥的高度。

在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：

在柔性衬底的第二区域上形成第二液滴之前，在所述柔性衬底上形成电极和导线，其中，所述电极与所述导线相连，所述电极位于所述第二区域内。

在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：