[发明专利]用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构及滤波器

说明书

本发明涉及声表面波滤波器，具体涉及用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构及滤波器，DMS结构包括五阶谐振结构和两个反射栅，第一反射栅与部分谐振结构的地极连接、第二反射栅与部分谐振结构的地极连接，其他谐振结构单独接地；或者所述第一反射栅和第二反射栅共地且与部分谐振结构地极连接，其他谐振结构单独接地，其他谐振结构单独接地，地信号之间形成电位差，既能保证通带性能，又可以提高带外抑制。

技术领域

本发明属于声表面波滤波器，具体涉及用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构及滤波器。

背景技术

设计声表滤波器主要有梯形结构与DMS型滤波器，其中DMS型滤波器在低端抑制和体积方面表现较优，因此被广泛应用于滤波器设计之中。在保证通带性能的前提下需要有良好的带外抑制，提高滤波器的使用性能提升其带外抑制和保证通带性能尤为重要。

发明内容

本发明提供一种用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，以解决上述问题：DMS结构包括五阶谐振结构和两个反射栅，第一反射栅与部分谐振结构的地极连接、第二反射栅与部分谐振结构的地极连接，其他谐振结构单独接地；或者所述第一反射栅和第二反射栅共地且与部分谐振结构地极连接，其他谐振结构单独接地。

优选的，所述第一反射栅与第二阶谐振结构地极连接，所述第二反射栅与第五阶谐振结构地极连接。

优选的，所述第一反射栅与第二阶谐振结构地极、第四阶谐振结构地极连接，所述第二反射栅与第三阶谐振结构地极、第五阶谐振结构地极连接。

优选的，所述第一反射栅和第二反射栅连接、且与第一阶谐振结构地极连接。

优选的，所述第一反射栅和第二反射栅连接、且与第二阶谐振结构地极连接。

优选的，所述第一反射栅和第二反射栅连接、且与第一阶谐振结构地极、第三阶谐振结构地极、第五阶谐振结构地极连接。

优选的，所述第一反射栅和第二反射栅连接、且与第二阶谐振结构地极、第四阶谐振结构地极连接。

本发明还提供一种滤波器，包含上述任一所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，还包括三个串联谐振器和一个并联谐振器，所述并联谐振器并联于第一串联谐振器和第二串联谐振器之间，DMS结构设置于第二串联谐振器和第三串联谐振器之间.

本发明具有以下有益效果：提供一种用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，通过改变DMS结构的接地位置，将第一反射栅和第二反射栅分别与部分谐振结构的地极连接后共同接地，或者所述第一反射栅和第二反射栅共地且与部分谐振结构地极连接后共同接地，其他谐振结构单独接地，地信号之间形成电位差，既能保证通带性能，又可以提高带外抑制。

附图说明

图1为现有技术中DMS型接收滤波器的接地结构；

图2为本发明实施例中第一反射栅与第二阶谐振结构地极连接，第二反射栅与第五阶谐振结构地极连接共同接地的示意图；

图3为本发明实施例中第一反射栅与第二阶谐振结构、第四阶谐振结构地极连接，第二反射栅与第三阶谐振结构、第五阶谐振结构地极连接共同接地的示意图；

图4为本发明实施例中第一反射栅和第二反射栅连接并与第一阶谐振结构地极连接共同接地的示意图；

图5为本发明实施例中第一反射栅和第二反射栅连接并与第二阶谐振结构地极连接共同接地的示意图；

图6为本发明实施例中第一反射栅与第二反射栅连接并与第一阶谐振结构、第三阶谐振结构、第五阶谐振结构地极连接共同接地的示意图；

图7为本发明实施例中第一反射栅与第二反射栅连接并与第二阶谐振结构、第四阶谐振结构地极连接共同接地的示意图；

图8为本图1、图2所示实施例中结构S参数仿真结果示意图；

图9为本图1、图4所示实施例中结构S参数仿真结果示意图；