[发明专利]用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构及滤波器在审
| 申请号： | 202110166391.4 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112511124A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 安虹瑾;董元旦;杨涛;安建光;赵孟娟 | 申请（专利权）人： | 成都频岢微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H1/00 | 分类号： | H03H1/00 |
| 代理公司： | 成都拓荒者知识产权代理有限公司 51254 | 代理人： | 邹广春 |
| 地址： | 611730 四川省成都市郫都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 改善 dms 接收 滤波器 抑制 接地 结构 | ||
1.用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：DMS结构包括五阶谐振结构和两个反射栅，第一反射栅与部分谐振结构的地极连接、第二反射栅与部分谐振结构的地极连接，其他谐振结构单独接地；或者所述第一反射栅和第二反射栅共地且与部分谐振结构地极连接，其他谐振结构单独接地。
2.根据权利要求1所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：所述第一反射栅与第二阶谐振结构地极连接，所述第二反射栅与第五阶谐振结构地极连接。
3.根据权利要求1所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：所述第一反射栅与第二阶谐振结构地极、第四阶谐振结构地极连接，所述第二反射栅与第三阶谐振结构地极、第五阶谐振结构地极连接。
4.根据权利要求1所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：所述第一反射栅和第二反射栅连接、且与第一阶谐振结构地极连接。
5.根据权利要求1所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：所述第一反射栅和第二反射栅连接、且与第二阶谐振结构地极连接。
6.根据权利要求1所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：所述第一反射栅和第二反射栅连接、且与第一阶谐振结构地极、第三阶谐振结构地极、第五阶谐振结构地极连接。
7.根据权利要求1所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，其特征在于：所述第一反射栅和第二反射栅连接、且与第二阶谐振结构地极、第四阶谐振结构地极连接。
8.一种滤波器，其特征在于：包含权利要求1-7任一所述的用于改善DMS型接收滤波器带外抑制的接地结构，还包括三个串联谐振器和一个并联谐振器，所述并联谐振器并联于第一串联谐振器和第二串联谐振器之间，DMS结构设置于第二串联谐振器和第三串联谐振器之间。
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