[发明专利]相移反位膜掩模基版的制作方法

说明书

本发明提供一种相移反位膜掩模基版的制作方法，制作方法包括步骤：提供透明基板；在透明基板上沉积相移反位膜；在相移反位膜上沉积遮光膜；在遮光膜上沉积防反射膜；相移反位膜、遮光膜及防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现相移反位膜、遮光膜及防反射膜的沉积。本发明可以精细地控制钼硅及铬沉积量及控制靶材溅射出来的颗粒数，从而大大提高相移反位膜、遮光膜及防反射膜的厚度均匀度，同时能调节相移反位膜的透过率及产生180度相移变化。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种相移反位膜掩模基版的制作方法。

背景技术

半导体和平板显示器制造过程中为形成精细的线路图案，通常使用光掩模版和光刻技术形成母模。该光掩模版是在掩模基版上形成精细的线路图案。该掩模基版是在石英基板上形成多层铬薄膜以及在多层铬膜上涂有光刻胶后形成掩模基版的制造。近几年来随着半导体集成电路的高度集成化和设计的细微化，形成图型的光掩膜版路线也趋向高精度、精细化的方向。

为了在半导体集成电路中形成更精细的图案，需要高的图案分辨率(resolution)，提高分辨率可以采用缩短光源波长和放大镜头口径的方法。提高分辨率时光源的波长会以g-line(436nm)、i-line(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)逐渐缩短，相对镜头的口径会以0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9的逐渐变大。

光源的波长缩短和镜头口径放大的方式会提高图案分辨率，但是镜头的焦点难聚焦的问题会使分辨率具有局限性。所以相移反位膜掩模(Phase Shift Photomask)比二元掩膜(Binary Photomask)具有更高的分辨率使用在更高要求的半导体光刻工艺中。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种相移反位膜掩模基版的制作方法，用于解决现有技术中溅射均匀性较差及异常放电导致的颗粒增加的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种相移反位膜掩模基版的制作方法，所述制作方法包括步骤：提供透明基板；在所述透明基板上沉积相移反位膜；在所述相移反位膜上沉积遮光膜；在所述遮光膜上沉积防反射膜；所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，所述溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜的沉积。

可选地，在用于制造半导体和平板显示器的掩模基版的制造方法中，还包括在防反射膜上涂覆光刻胶的步骤。

可选地，所述相移反位膜包括氮硅化钼膜，其透过率介于0～50％，相移角为175度～185度。

可选地，所述氮硅化钼膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对钼硅靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述透明基板上形成透过率均匀的相移反位膜。

可选地，形成所述氮硅化钼膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。

可选地，形成所述氮硅化钼膜的方法包括磁控溅射工艺，其真空度为1～5mTorr，电力功率为0.5～2KW，所形成的氮硅化钼膜的透过率为0～30％。

可选地，所述遮光膜包括氮化铬膜，所述遮光膜形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述相移反位膜上形成遮光膜。

可选地，形成所述遮光膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。

可选地，所述防反射膜包括氮氧化铬膜，所述氮氧化铬膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体二氧化氮或一氧化氮或其混合气体，以在所述遮光膜上形成防反射膜。