[发明专利]相移反位膜掩模基版的制作方法

权利要求书

1.一种相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：

提供透明基板；

在所述透明基板上沉积相移反位膜；

在所述相移反位膜上沉积遮光膜；

在所述遮光膜上沉积防反射膜；

所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜通过溅射沉积工艺沉积，所述溅射沉积工艺以氩气和氦气共同对靶材进行轰击，以实现所述相移反位膜、所述遮光膜及所述防反射膜的沉积。

2.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：在用于制造半导体和平板显示器的掩模基版的制造方法中，还包括在防反射膜上涂覆光刻胶的步骤。

3.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述相移反位膜包括氮硅化钼膜，其透过率介于0～50％，相移角为175度～185度。

4.根据权利要求3所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述氮硅化钼膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对钼硅靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述透明基板上形成透过率均匀的相移反位膜。

5.根据权利要求4所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述氮硅化钼膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。

6.根据权利要求5所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述氮硅化钼膜的方法包括磁控溅射工艺，其真空度为1～5mTorr，电力功率为0.5～2KW，所形成的氮硅化钼膜的透过率为0～30％。

7.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述遮光膜包括氮化铬膜，所述遮光膜形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体氮气，以在所述相移反位膜上形成遮光膜。

8.根据权利要求7所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述遮光膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的氮气。

9.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述防反射膜包括氮氧化铬膜，所述氮氧化铬膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体二氧化氮或一氧化氮或其混合气体，以在所述遮光膜上形成防反射膜。

10.根据权利要求9所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述氮氧化铬膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气及1～50sccm的一氧化氮。

11.根据权利要求1所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述防反射膜包括碳氮氧铬膜，所述碳氮氧铬膜的形成包括：通过氩气和氦气共同对铬靶材进行轰击，并通入反应气体二氧化氮或一氧化氮或其混合气体及二氧化碳，以在所述遮光膜上形成防反射膜。

12.根据权利要求11所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：形成所述碳氮氧铬膜时使用的混合气体包括：5～80sccm的氩气、5～80sccm的氦气、1～50sccm的一氧化氮及1～10sccm的二氧化碳。

13.根据权利要求1～12任意一项所述的相移反位膜掩模基版的制作方法，其特征在于：所述相移反位膜的相移均匀度小于0.5％，透过率均匀度小于1.5％。