[发明专利]半导体结构

说明书

本发明实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括一第一基板一第一裸晶及一第二裸晶设置在第一基板之上，并且彼此相邻。多个第一导电凸块设置在第一基板及第一裸晶之间，与第一基板及第二裸晶之间。一第二基板设置在第一基板下方。多个第二导电凸块设置在第一基板及第二基板之间。一封装内电压调节器芯片设置在第二基板之上。模塑材料设置在第一基板之上，并且围绕第一裸晶、第二裸晶、第一导电凸块、第二导电凸块及封装内电压调节器芯片。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种多芯片封装结构。

背景技术

使用半导体装置的电子设备对于许多现代应用是不可或缺的。随着电子技术的进步，半导体装置的尺寸变得越来越小，同时具有更强的功能性和更多数量的集成电路。由于半导体装置的小型化，基板上晶片上芯片(chip on wafer on substrate，COWOS)先进封装技术被广泛用于将数个芯片一体化到单一多芯片封装(single multi-chip package)中。在基板上晶片上芯片先进封装技术中，许多芯片被组装到单一多芯片封装中。

然而，由于大量的制造步骤及小规模及/或多芯片封装的尺寸，多芯片封装的制造变得更加复杂。在多芯片封装的制造的复杂性的增加可能导致缺陷(例如不好的结构配置、组成的脱层或其他问题)导致多芯片封装的高产率损失，并且增加制造成本。因此，对于多芯片封装以及改善这种多芯片封装的制造操作存在许多挑战。

发明内容

本公开实施例的目的在于提出一种半导体结构，以解决上述至少一个问题。

根据本公开一些实施例，提供一种半导体结构，包括一第一基板、一第一裸晶、一第二裸晶、多个第一导电凸块、一第二基板、多个第二导电凸块、一封装内电压调节器芯片以及一模塑材料。第一基板包括一第一表面以及相对于第一表面的一第二表面。第一裸晶设置在第一基板的第二表面之上。第二裸晶设置在第一基板的第二表面之上，并且与第一裸晶相邻。第一导电凸块设置在第一基板与第一裸晶之间，与第一基板与第二裸晶之间。第二基板设置在第一基板的第一表面下方。第二导电凸块设置在第一基板与第二基板之间。封装内电压调节器芯片设置在第二基板之上。模塑材料设置在第一基板之上，并且围绕第一裸晶、第二裸晶、多个第一导电凸块、多个第二导电凸块及封装内电压调节器芯片。

根据本公开另一些实施例，提供一种半导体结构，包括一第一基板、一第一裸晶、一第二裸晶、多个第一导电凸块、一第二基板以及一封装内电压调节器芯片。第一基板包括一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。第一裸晶设置在第一基板的第二表面之上。第二裸晶设置在第一基板的第二表面之上，并且与第一裸晶相邻。多个第一导电凸块设置在第一基板与第一裸晶之间，与第一基板与第二裸晶之间。第二基板，设置在第一基板的第一表面下方。多个第二导电凸块设置在第一基板与第二基板之间。封装内电压调节器芯片包括设置在一半导体基板之上的一电感，并且封装内电压调节器芯片布置在第一基板与第二基板之间，并且被第二导电凸块横向地围绕。

根据本公开又另一些实施例，一种半导体结构，包括一第一基板、一第一裸晶、一第二裸晶、多个第一导电凸块、一第二基板、一封装内电压调节器芯片、多个第二导电凸块以及一模塑材料。第一基板包括一第一表面及相对于第一表面的一第二表面。第一裸晶设置在第一基板的第二表面之上。第二裸晶设置在第一基板的第二表面之上，并且与第一裸晶相邻。第一导电凸块设置在第一基板与第一裸晶之间，与第一基板与第二裸晶之间。第二基板设置在第一基板的第一表面下方。封装内电压调节器芯片包括一降压转换器，降压转换器设置在第二基板之上，并且与第一基板的一侧壁横向间隔开。第二导电凸块设置在第一基板与第二基板之间，与封装内电压调节器芯片与第二基板之间。模塑材料设置在第二基板之上，并且围绕第一裸晶、第二裸晶、第一导电凸块、第二导电凸块及封装内电压调节器芯片。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下实施方式可以最好地理解本公开的各方面。应注意的是，根据业界中的标准实践，各种特征未必依照比例绘制。实际上，为了讨论的清晰性，各种特征的尺寸可以任意增加或减小。