[发明专利]一种聚硅氧烷的后处理方法

说明书

本发明提供了一种聚硅氧烷的后处理方法，包括以下步骤：A)将聚硅氧烷的反应料进行减压蒸馏；B)采用水滑石对减压蒸馏后的物料进行处理；C)除去体系中的水滑石，得到聚硅氧烷。本发明采用水滑石与物料通过离子交换、静电引力作用以及物理吸附作用，去除聚硅氧烷反应体系中的酸、盐等杂质，整个后处理过程中没有用到水洗，减少了水资源的使用，降低了环境污染，同时降低了成本，提高了聚硅氧烷的储存性能。

技术领域

本发明涉及化工技术领域，尤其涉及一种聚硅氧烷的后处理方法。

背景技术

聚硅氧烷由硅单体聚合而成，由于聚硅氧烷的特殊结构，其具有优异的耐高低温性、润滑性和耐辐照性，在航天航空、汽车船舶、电子电器、轻工纺织、石油化工、建筑建材等领域有广阔的发展前景。

在合成聚硅氧烷的过程中，会存在大量的酸、盐等杂质，这些酸、盐等杂质的存在会影响到有机聚硅氧烷在产品中的应用。传统的减少在合成聚硅氧烷成品中酸、盐等杂质的方法是用大量的水，经过多次清洗，逐渐降低其中的杂质含量，直至杂质含量不影响产品的应用性能。由于这种方法耗时长，能源消耗大，还会产生大量的废水，给环境带来巨大的污染，严重威胁着人类的健康。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种聚硅氧烷的后处理方法，减少水的使用，同时提高了产品的储存性能。

为达到上述目的，本发明提供了一种聚硅氧烷的后处理方法，包括以下步骤：

A)将聚硅氧烷的反应料进行减压蒸馏；

B)采用水滑石对减压蒸馏后的物料进行处理；

C)除去体系中的水滑石，得到聚硅氧烷。

本发明对上述聚硅氧烷的反应料的来源、制备方法并无特殊限定，本领域技术人员熟知的一般含有酸、盐等杂质的物料均可。

本发明优选的，所述聚硅氧烷的反应料按照烷氧基的酰氧化反应，经过封头剂封端方法制备。

本发明对上述酰氧化反应并无特殊限定，可以采用本领域技术人员熟知的原料、反应条件等。

本发明对上述封头剂以及封端方法并无特殊限定，可以为本领域技术人员熟知的封头剂以及封端方法。

本发明优选的，首先对聚硅氧烷的反应料进行减压蒸馏，脱出部分酸，及反应过程中产生的低沸点副产物。

本发明优选的，所述减压蒸馏的真空度为0.06～0.1MPa。

本发明优选的，所述减压蒸馏的温度为60～90℃。

然后采用水滑石进行处理。

本发明优选的，所述水滑石和所述减压蒸馏后的物料的质量比为0.5～2：100。

本发明优选的，所述步骤B)具体为：

将水滑石和减压蒸馏后的物料混合，搅拌处理。

本发明优选的，所述采用水滑石对减压蒸馏后的物料进行处理的温度为25～40℃。

本发明优选的，所述采用水滑石对减压蒸馏后的物料进行处理的时间为1～10h；更优选为3～5h，具体可以为3h、4h、5h。

本发明优选的，所述采用水滑石对减压蒸馏后的物料进行处理的步骤重复1～3次。

更优选的，采用水滑石对减压蒸馏后的物料进行1～3次处理。

本发明中，所述水滑石每加入一次处理完成后再加入下一次。

然后除去体系中的水滑石，得到聚硅氧烷。