[发明专利]一种聚硅氧烷的后处理方法在审
申请号: | 202110161819.6 | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN112961356A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 刘圣兵;汤胜山;侯海鹏 | 申请(专利权)人: | 东莞市贝特利新材料有限公司 |
主分类号: | C08G77/34 | 分类号: | C08G77/34 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 夏菁 |
地址: | 523145 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 聚硅氧烷 处理 方法 | ||
1.一种聚硅氧烷的后处理方法,包括以下步骤:
A)将聚硅氧烷的反应料进行减压蒸馏;
B)采用水滑石对减压蒸馏后的物料进行处理;
C)除去体系中的水滑石,得到聚硅氧烷。
2.根据权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述减压蒸馏的真空度为0.06~0.1MPa。
3.根据权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述减压蒸馏的温度为60~90℃。
4.根据权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述水滑石和所述减压蒸馏后的物料的质量比为0.5~2:100。
5.根据权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述步骤B)具体为:
将水滑石和减压蒸馏后的物料混合,搅拌处理。
6.根据权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述步骤B)中采用水滑石对减压蒸馏后的物料进行处理的温度为25~40℃。
7.根据权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述步骤B)中采用水滑石对减压蒸馏后的物料进行处理的时间为1~10h。
8.根据权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述步骤B)重复1~3次。
9.根据权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述步骤C)之后还包括:
采用活性炭对物料进行处理。
10.根据权利要求1所述的后处理方法,其特征在于,所述聚硅氧烷的反应料按照烷氧基的酰氧化反应,经过封头剂封端制备。
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