[发明专利]集成电路及其形成方法

说明书

一种形成集成电路的方法包括：将集成电路的第一单元布局设计放置在布局设计上；以及基于布局设计制造集成电路。放置第一单元布局设计包括：根据第一准则集合，将第一有源区域布局图案与第一单元边界相邻放置，将第二有源区域布局图案与第二单元边界相邻放置，以及将第一有源区域布局图案集合放置在第一和第二有源区域布局图案之间。第一准则集合包括选择具有第一驱动强度的第一类型的晶体管和具有第二驱动强度的第二类型的晶体管。在一些实施例中，第一有源区域布局图案、第二有源区域布局图案和第一有源区域布局图案集合沿第一方向延伸，并且处于第一布局层级上。本发明的实施例还涉及一种集成电路。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业制造出各种各样的数字器件来解决多个不同领域的问题。IC小型化的最近趋势已经产生了更小的器件，该更小的器件消耗更少的功率，还在更高的速度下提供更多功能。微型化工艺也已导致更严格的设计和制造规范以及可靠性挑战。各种电子设计自动化(EDA)工具生成、优化和验证用于集成电路的标准单元布局设计，同时确保满足布局设计和制造规范。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种形成集成电路的方法，方法包括：由处理器将集成电路的第一单元布局设计放置在布局设计上，第一单元布局设计具有沿第一方向延伸的第一单元边界和第二单元边界，第二单元边界在不同于第一方向的第二方向上与第一单元边界分离。其中放置第一单元布局设计包括：根据第一准则集合与第一单元边界相邻地放置第一有源区域布局图案，第一有源区域布局图案对应于第一类型的晶体管、沿第一方向延伸、处于第一布局层级中并且在第一方向上具有第一宽度；根据第一准则集合与第二单元边界相邻地放置第二有源区域布局图案，第二有源区域布局图案对应于第一类型的晶体管、沿第一方向延伸、处于第一布局层级中、在第二方向上与第一有源区域布局图案分离以及具有不同于第一宽度的第二宽度；和根据第一准则集合在第一有源区域布局图案和第二有源区域布局图案之间放置第一有源区域布局图案集合，第一有源区域布局图案集合对应于与第一类型不同的第二类型的晶体管、沿第一方向延伸以及处于第一布局层级中。其中，至少对于第一单元布局设计，第一准则集合包括选择具有第一驱动强度的第一类型的晶体管和选择具有与第一驱动强度不同的第二驱动强度的第二类型的晶体管；以及基于布局设计制造集成电路。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种形成集成电路的方法，方法包括：由处理器生成集成电路的第一单元布局设计，第一单元布局设计具有沿第一方向延伸的第一单元边界和第二单元边界，第二单元边界在不同于第一方向的第二方向上与第一单元边界分离。其中生成第一单元布局设计包括：生成与第一类型的第一晶体管集合对应的第一有源区域布局图案，第一有源区域布局图案沿第一方向延伸、处于第一布局层级中以及与第一单元边界相邻；生成与第一类型的第二晶体管集合对应的第二有源区域布局图案，第二有源区域布局图案沿第一方向延伸、处于第一布局层级中、与第一有源区域布局图案相邻以及在第二方向上与第一有源区域布局图案分离；生成与不同于第一类型的第二类型的第三晶体管集合对应的第三有源区域布局图案，第三有源区域布局图案沿第一方向延伸、处于第一布局层级中以及与第二有源区域布局图案相邻；生成与第二类型的第四晶体管集合对应的第四有源区域布局图案，第四有源区域布局图案沿第一方向延伸、处于第一布局层级中、与第一单元边界相邻以及在第二方向上与第三有源区域布局图案分离。其中，至少第一有源区域布局图案、第二有源区域布局图案、第三有源区域布局图案或第四有源区域布局图案满足第一准则集合，第一准则集合包括平衡第一晶体管集合和第二晶体管集合的第一驱动强度与第三晶体管集合和第四晶体管集合的第二驱动强度，第二驱动强度等于第一驱动强度；以及至少基于第一单元布局设计来制造集成电路。