[发明专利]集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路的方法，所述方法包括：

由处理器将所述集成电路的第一单元布局设计放置在布局设计上，所述第一单元布局设计具有沿第一方向延伸的第一单元边界和第二单元边界，所述第二单元边界在不同于所述第一方向的第二方向上与所述第一单元边界分离，其中放置所述第一单元布局设计包括：

根据第一准则集合与所述第一单元边界相邻地放置第一有源区域布局图案，所述第一有源区域布局图案对应于第一类型的晶体管、沿所述第一方向延伸、处于第一布局层级中并且在所述第一方向上具有第一宽度；

根据所述第一准则集合与所述第二单元边界相邻地放置第二有源区域布局图案，所述第二有源区域布局图案对应于第一类型的晶体管、沿所述第一方向延伸、处于所述第一布局层级中、在所述第二方向上与所述第一有源区域布局图案分离以及具有不同于所述第一宽度的第二宽度；和

根据所述第一准则集合在所述第一有源区域布局图案和所述第二有源区域布局图案之间放置第一有源区域布局图案集合，所述第一有源区域布局图案集合对应于与第一类型不同的第二类型的晶体管、沿所述第一方向延伸以及处于所述第一布局层级中，

其中，至少对于所述第一单元布局设计，所述第一准则集合包括选择具有第一驱动强度的第一类型的晶体管和选择具有与第一驱动强度不同的第二驱动强度的第二类型的晶体管；以及

基于所述布局设计制造所述集成电路。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一有源区域布局图案集合的布局图案中的每个具有所述第一宽度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

所述第一类型的晶体管包括：

所述第一类型的第一数量的鳍；和

所述第一类型的第二数量的鳍，

所述第二类型的晶体管包括：

所述第二类型的第三数量的鳍。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二类型的第三数量的鳍多于所述第一类型的第一数量的鳍和所述第一类型的第二数量的鳍的总和。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

根据所述第一准则集合与所述第一单元边界相邻地放置第三有源区域布局图案，所述第三有源区域布局图案对应于第一类型的晶体管、沿所述第一方向延伸、处于所述第一布局层级中、在所述第二方向上与所述第一有源区域布局图案分离以及具有所述第一宽度；和

根据所述第一准则集合与所述第二单元边界相邻地放置第四有源区域布局图案，所述第四有源区域布局图案对应于第一类型的晶体管、沿所述第一方向延伸、处于所述第一布局层级中、在所述第二方向上与所述第二有源区域布局图案分离以及具有所述第二宽度。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

根据第二准则集合在所述第一有源区域布局图案和所述第三有源区域布局图案之间放置第一电源轨布局图案，所述第一电源轨布局图案沿所述第一方向延伸、在所述第二方向上具有第三宽度以及处于不同于所述第一布局层级的第二布局层级中，所述第三宽度不同于所述第一宽度和所述第二宽度；和

根据所述第二准则集合在所述第二有源区域布局图案和所述第四有源区域布局图案之间放置第二电源轨布局图案，所述第二电源轨布局图案沿所述第一方向延伸、在所述第二方向上具有所述第三宽度以及处于所述第二布局层级中，其中，所述第二准则集合包括：

平衡所述第一有源区域布局图案和所述第三有源区域布局图案上的第一设计压降与所述第一电源轨布局图案上的第二设计压降；和

平衡所述第二有源区域布局图案和所述第四有源区域布局图案上的第三设计压降与所述第二电源轨布局图案上的第四设计压降。