[发明专利]一种柔性薄膜式压电声发射传感器及其制作方法有效
| 申请号: | 202110152803.9 | 申请日: | 2021-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN112968123B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
| 发明(设计)人: | 杨成韬;孙星林;茹子雄;肖盼 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L41/053 | 分类号: | H01L41/053;H01L41/113;H01L41/31;G01D5/48 |
| 代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 霍淑利 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 柔性 薄膜 压电 声发 传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种柔性薄膜式压电声发射传感器,其特征在于,包括柔性绝缘薄膜基底(1),所述柔性绝缘薄膜基底(1)的第一表面上间隔设置有第一铜导线(2)和第二铜导线(3),第一铜导线(2)和第二铜导线(3)之间设置有第二导电银浆(6),第二导电银浆(6)与第二铜导线(3)相连,第二导电银浆(6)与第一铜导线(2)之间保持足够的距离以防发生短路;所述第一铜导线(2)和所述第二铜导线(3)之间设置有压电薄膜晶片(5),所述压电薄膜晶片(5)具有顶电极(8)和底电极(9);所述压电薄膜晶片(5)的底电极(9)通过第二导电银浆(6)与所述第二铜导线(3)连接,所述压电薄膜晶片(5)的顶电极(8)通过第一导电银浆(7)与所述第一铜导线(2)连接;所述柔性绝缘薄膜基底(1)和所述压电薄膜晶片(5)上设置有绝缘胶带(4)用于对器件进行封装;
所述柔性绝缘薄膜基底(1)的与所述第一表面相反的第二表面上设置有第一金属屏蔽层(10);所述绝缘胶带(4)上设置有第二金属屏蔽层(11)。
2.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器,其特征在于,所述柔性绝缘薄膜基底(1)所使用的材料为PI。
3.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器,其特征在于,所述压电薄膜晶片(5)为铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器,其特征在于,所述绝缘胶带(4)所使用的材料为PI。
5.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器,其特征在于,所述第一金属屏蔽层(10)和第二金属屏蔽层(11)所使用的材料为铝、铜、铂、金或钼。
6.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器,其特征在于,所述传感器的厚度小于200微米。
7.一种权利要求1-6任一项所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
使用掩膜版和采用磁控溅射的方式,制备压电薄膜晶片(5)的顶电极(8)和底电极(9);
在所述柔性绝缘薄膜基底(1)上形成间隔设置的第一铜导线(2)和第二铜导线(3);
在所述第一铜导线(2)和所述第二铜导线(3)之间涂抹银浆,形成第二导电银浆(6);所述第二导电银浆(6)与第二铜导线(3)相连,所述第二导电银浆(6)与第一铜导线(2)之间保持足够的距离以防发生短路;
将所述压电薄膜晶片(5)的底电极(9)放置在所述第二导电银浆(6)上;
在所述顶电极(8)和所述第一铜导线(2)之间涂抹第一导电银浆(7);
在所述柔性绝缘薄膜基底(1)和所述压电薄膜晶片(5)上形成绝缘胶带(4);
将封装好的传感器放在磁控溅射设备中,正反两面各溅射一层金属屏蔽层。
8.根据权利要求1所述的一种柔性薄膜式压电声发射传感器的制备方法,其特征在于,所述底电极(9)设置在所述压电薄膜晶片(5)上远离所述第一铜导线(2)的一侧。
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