[发明专利]薄膜晶体管、显示基板及其制备方法和显示装置

说明书

本发明提供了薄膜晶体管、显示基板及其制备方法和显示装置，该薄膜晶体管包括基材和设在基材的第一表面上的栅极、有源层、栅绝缘层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极中的一个为源极，第一电极和第二电极中的另一个为漏极，其中，栅极和有源层相对于第一表面倾斜设置。该薄膜晶体管尺寸较小，适用于复杂的微观电路的制备，采用该薄膜晶体管的电路结构占用面积和体积小，可以实现更高的集成度，应用于显示装置时可以实现更高的分辨率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及薄膜晶体管、显示基板及其制备方法和显示装置。

背景技术

Micro LED显示技术具有高对比度、低功耗、色域广、高寿命、可拼接等优势，是目前显示行业的研究热点，相同尺寸下，Micro LED耗电量仅为LCD的10％，OLED的50％。另外，与同样属于自发光显示器的OLED相较，在同样的功率下，亮度比OLED荧幕高出三倍，显示色域高达120％以上，并具有较佳的材料稳定性与无影像残留。与OLED显示不同，Micro LED是将LED结构进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1～10μm等级左右。未来随着芯片技术开发的日益成熟，LED芯片的尺寸将变的越来越小，而日益复杂的微观电路将成为制约Micro LED产品分辨率提升的瓶颈。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的目的在于提出一种有利于薄膜晶体管尺寸的减小和减少mask(掩膜版)的薄膜晶体管、显示基板及显示装置。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种薄膜晶体管。根据本发明的实施例，该薄膜晶体管包括基材和设在所述基材的第一表面上的栅极、有源层、栅绝缘层、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极中的一个为源极，所述第一电极和所述第二电极中的另一个为漏极，其中，所述栅极和所述有源层相对于所述第一表面倾斜设置。该薄膜晶体管尺寸较小，适用于复杂的微观电路的制备，采用该薄膜晶体管的电路结构占用面积和体积小，可以实现更高的集成度，应用于显示装置时可以实现更高的分辨率。

根据本发明的实施例，该薄膜晶体管包括：第一平坦层，所述第一平坦层设在所述第一表面上，具有相对于所述第一表面倾斜设置的倾斜侧面和与所述第一表面平行的顶面，所述栅极和所述有源层设在所述倾斜侧面上。

根据本发明的实施例，所述第一平坦层满足以下条件的至少之一：所述第一平坦层的材料为有机材料，所述有机材料包括聚酰亚胺；所述第一平坦层的厚度为2～10微米；所述倾斜侧面与所述第一表面之间的夹角为30～60°。

根据本发明的实施例，该薄膜晶体管中，所述第一电极设在所述第一表面上；所述第一平坦层设在所述第一表面以及所述第一电极远离所述基材的表面上；所述有源层设在所述倾斜侧面、所述顶面和所述第一电极远离所述基材的表面上；所述栅绝缘层设在所述顶面、所述有源层远离所述第一平坦层的表面、所述第一电极远离所述基材的表面和所述第一表面上；所述栅极设置在所述栅绝缘层远离所述有源层、且相对于所述第一表面倾斜设置的部分表面上；所述第二电极设在所述栅绝缘层远离所述顶面的表面上，且通过第一过孔与所述有源层电连接。

在本发明的另一方面，本发明提供了一种显示基板。根据本发明的实施例，该显示基板包括多个前面所述的薄膜晶体管。该显示基板中薄膜晶体管的占用面积小，电路集成度高，采用该显示基板的显示装置可以实现较高的分辨率。

根据本发明的实施例，相邻两个所述薄膜晶体管构成一个薄膜晶体管组，每个所述薄膜晶体管组中的两个薄膜晶体管的倾斜表面相对设置。

根据本发明的实施例，该显示基板还包括设在基材的第一表面上的遮光层，每个所述薄膜晶体管组中的两个所述薄膜晶体管共用一个遮光层。

根据本发明的实施例，每个所述薄膜晶体管组中，所述遮光层复用为两个所述薄膜晶体管的所述第一电极。