[发明专利]薄膜晶体管、显示基板及其制备方法和显示装置在审
申请号: | 202110151146.6 | 申请日: | 2021-02-03 |
公开(公告)号: | CN112968061A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 周天民;刘凤娟;童彬彬;黄杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/15;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 李岩 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管,包括基材和设在所述基材的第一表面上的栅极、有源层、栅绝缘层、第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极中的一个为源极,所述第一电极和所述第二电极中的另一个为漏极,其特征在于,所述栅极和所述有源层相对于所述第一表面倾斜设置。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,包括:
第一平坦层,所述第一平坦层设在所述第一表面上,具有相对于所述第一表面倾斜设置的倾斜侧面和与所述第一表面平行的顶面,所述栅极和所述有源层设在所述倾斜侧面上。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一平坦层满足以下条件的至少之一:
所述第一平坦层的材料为有机材料,所述有机材料包括聚酰亚胺;
所述第一平坦层的厚度为2~10微米;
所述倾斜侧面与所述第一表面之间的夹角为30~60°。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,
所述第一电极设在所述第一表面上;
所述第一平坦层设在所述第一表面以及所述第一电极远离所述基材的表面上;
所述有源层设在所述倾斜侧面、所述顶面和所述第一电极远离所述基材的表面上;
所述栅绝缘层设在所述顶面、所述有源层远离所述第一平坦层的表面、所述第一电极远离所述基材的表面和所述第一表面上;
所述栅极设置在所述栅绝缘层远离所述有源层、且相对于所述第一表面倾斜设置的部分表面上;
所述第二电极设在所述栅绝缘层远离所述顶面的表面上,且通过第一过孔与所述有源层电连接。
5.一种显示基板,其特征在于,包括多个权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,相邻两个所述薄膜晶体管构成一个薄膜晶体管组,每个所述薄膜晶体管组中的两个薄膜晶体管中的倾斜表面相对设置。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,还包括设在基材的第一表面上的遮光层,每个所述薄膜晶体管组中的两个所述薄膜晶体管共用一个遮光层。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,每个所述薄膜晶体管组中,所述遮光层复用为两个所述薄膜晶体管的所述第一电极。
9.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,定义每个所述薄膜晶体管组中的两个所述薄膜晶体管分别为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述显示基板还包括:
第二平坦层,所述第二平坦层设在栅绝缘层远离所述基材的表面上,且覆盖第二电极和栅极;
第一钝化层,所述第一钝化层设在所述第二平坦层远离所述基材的表面上;
第一辅助电极,所述第一辅助电极设在所述第一钝化层远离基材的表面上,且通过第二过孔与所述第一薄膜晶体管中的第二电极电连接;
第一VSS电极,所述第一VSS电极设在所述第二钝化层远离所述基材的表面上;
VDD电极,所述VDD电极设在所述第一表面上,且与所述第二薄膜晶体管中的第二电极电连接。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,包括:
第三平坦层,所述第三平坦层设在所述第一钝化层远离所述基材的表面上,且覆盖第一辅助电极和第一VSS电极;
第二钝化层,所述第二钝化层设在所述第三平坦层远离所述基材的表面上;
第二辅助电极,所述第二辅助电极设在所述第二钝化层远离所述基材的表面上,且通过第三过孔与所述第一辅助电极电连接;
第二VSS电极,所述第二VSS电极设在所述第二钝化层远离所述基材的表面上。
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