[发明专利]半导体处理设备的使用方法、半导体处理设备、及存储介质有效
申请号: | 202110151133.9 | 申请日: | 2021-02-03 |
公开(公告)号: | CN112967953B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 陈鲁;王彦彦;张朝前;马砚忠;卢继奎;张嵩 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 邵泳城 |
地址: | 518110 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 处理 设备 使用方法 存储 介质 | ||
1.一种半导体处理设备的使用方法,其特征在于,所述半导体处理设备包括设有开口的处理腔室、半导体处理装置、位于所述处理腔室内的激光器、及设于所述开口处的遮挡件,所述遮挡件设置在所述开口处并能够调节所述开口的开合度,且通过所述开口对于所述激光器、所述半导体处理装置或所述处理腔室内的其他装置或仪器进行调试,所述使用方法包括:
获取所述开口的开合度;及
当所述开口的开合度超过预设的安全阈值时,降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光;
所述处理腔室的至少一个内侧壁设有保护板,所述使用方法还包括:
检测所述保护板的温度;
当所述温度超过预设温度阈值时,发出提示信息;及
根据所述提示信息降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
2.根据权利要求1所述的使用方法,其特征在于,所述获取所述开口的开合度,包括:
检测所述遮挡件的位置信息;及
根据所述位置信息获取所述开口的开合度。
3.根据权利要求1所述的使用方法,其特征在于,所述处理腔室的至少一个内侧壁设有保护板,所述保护板设有光显层,所述使用方法还包括:
检测所述光显层上的光斑;及
根据所述光斑调节所述激光器的出射方向和/或出射位置;
当检测到所述光显层的光斑时,降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
4.一种半导体处理设备,其特征在于,包括:
处理腔室,所述处理腔室内设置有激光器和半导体处理装置,所述处理腔室设有开口,通过所述开口对于所述激光器、所述半导体处理装置或所述处理腔室内的其他装置或仪器进行调试;
位于所述处理腔室内的激光器,所述激光器用于处理所述处理腔室内的工件;及
遮挡件,所述遮挡件设置在所述开口处并能够调节所述开口的开合度,当所述遮挡件的开合度超过预设的安全阈值时,降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光;
所述处理腔室的至少一个内侧壁设有保护板,所述半导体处理设备还包括温度传感器及提示器,所述温度传感器用于检测所述保护板的温度,
所述提示器用于在所述保护板的温度超过预设温度阈值时发出提示信息;及
当所述保护板的温度超过预设温度阈值时,所述提示器发出提示信息,降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
5.根据权利要求4所述的半导体处理设备,其特征在于,所述半导体处理设备还包括检测器,所述检测器用于检测所述遮挡件的位置信息,以能够根据所述位置信息获取所述开口的开合度。
6.根据权利要求4所述的半导体处理设备,其特征在于,所述处理腔室的至少一个内侧壁设有保护板,所述保护板上设有吸光材料,所述吸光材料用于吸收由所述激光器发出并传输至所述保护板的光线。
7.根据权利要求5所述的半导体处理设备,其特征在于,所述处理腔室的至少一个内侧壁设有保护板,所述保护板设有光显层,所述光显层用于在接收到所述激光器发出的光线时,显示出光斑,所述半导体处理设备还包括图像采集装置,所述图像采集装置用于采集所述光显层的光斑图像。
8.一个或多个存储有计算机程序的非易失性计算机可读存储介质,其特征在于,当所述计算机程序被一个或多个处理器执行时,实现权利要求1至3任意一项所述的半导体处理设备的使用方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造