[发明专利]一种薄膜谐振器的晶圆级封装方法及结构

说明书

本发明公开了一种薄膜谐振器的晶圆级封装方法及结构。该方法包括：制备第一晶圆，第一晶圆具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一晶圆的第一表面设置有至少一个薄膜谐振器单元和至少两个焊盘，焊盘和薄膜谐振器单元的电极电连接；制备第二晶圆，第二晶圆具有第三表面以及与第三表面相对的第四表面；将第一晶圆的第一表面放置在第二晶圆的第三表面侧；在第二晶圆形成沟槽，沟槽暴露焊盘的部分或者全部；在沟槽的底面和侧壁形成布线层，其中，布线层与焊盘电连接；沿沟槽，对第二晶圆和第一晶圆进行切割。本实施例提供的技术方案，提高了薄膜谐振器的封装方法的封装效率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜谐振器的晶圆级封装方法及结构。

背景技术

薄膜谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大等优良特性在通信领域发挥着重要作用。

现有技术中薄膜谐振器的封装方法是在线路板衬底上形成包括独立的支撑结构和独立的薄膜谐振器单元的封装结构得到薄膜谐振器的封装结构。需要生产大批量的薄膜谐振器的封装结构时，采用上述薄膜谐振器的封装方法的封装效率太低。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种薄膜谐振器的晶圆级封装方法及结构，以提高薄膜谐振器的封装方法的封装效率。

本发明实施例提供了一种薄膜谐振器的晶圆级封装方法，包括：制备第一晶圆，所述第一晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一晶圆的第一表面设置有至少一个薄膜谐振器单元和至少两个焊盘，所述焊盘和所述薄膜谐振器单元的电极电连接；

制备第二晶圆，所述第二晶圆具有第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面；

将所述第一晶圆的第一表面放置在所述第二晶圆的第三表面侧；

在所述第二晶圆形成沟槽，所述沟槽暴露所述焊盘的部分或者全部；

在所述沟槽的底面和侧壁形成布线层，其中，所述布线层与所述焊盘电连接；

沿所述沟槽，对所述第二晶圆和所述第一晶圆进行切割。

可选的，所述布线层延伸至所述第二晶圆的第四表面；沿所述沟槽，对所述第二晶圆和所述第一晶圆进行切割之前还包括：

在所述第二晶圆的第四表面形成至少两个导电连接结构，所述导电连接结构与所述布线层电连接；

在所述第二晶圆的第四表面侧形成第一保护层，其中，所述第一保护层暴露出所述导电连接结构远离所述第二晶圆一侧的表面，且与所述导电连接结构远离所述第二晶圆一侧的表面的平齐；

在所述第一保护层远离所述第二晶圆一侧的表面形成重布线层。

可选的，制备第二晶圆包括：

提供第二晶圆；

在所述第二晶圆的第三表面形成至少一个密封环结构；

对应的，将所述第一晶圆的第一表面放置在所述第二晶圆的第三表面侧包括：

将所述第一晶圆的第一表面放置在包括所述密封环结构的第二晶圆的第三表面侧，其中，所述密封环结构包围所述薄膜谐振器单元，且所述焊盘的部分覆盖所述密封环结构。

可选的，在所述第一保护层远离所述第二晶圆一侧的表面形成重布线层包括：

在所述第一保护层远离所述第二晶圆一侧的表面形成包括电感结构的重布线层。

可选的，在所述第一保护层远离所述第二晶圆一侧的表面形成重布线层之后还包括：