[发明专利]一种薄膜谐振器的晶圆级封装方法及结构

权利要求书

1.一种薄膜谐振器的晶圆级封装方法，其特征在于，包括：制备第一晶圆，所述第一晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一晶圆的第一表面设置有至少一个薄膜谐振器单元和至少两个焊盘，所述焊盘和所述薄膜谐振器单元的电极电连接；

制备第二晶圆，所述第二晶圆具有第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面；

将所述第一晶圆的第一表面放置在所述第二晶圆的第三表面侧；

在所述第二晶圆形成沟槽，所述沟槽暴露所述焊盘的部分或者全部；

在所述沟槽的底面和侧壁形成布线层，其中，所述布线层与所述焊盘电连接；所述布线层延伸至所述第二晶圆的第四表面；

在所述第二晶圆的第四表面形成至少两个导电连接结构，所述导电连接结构与所述布线层电连接；

在所述第二晶圆的第四表面侧形成第一保护层，其中，所述第一保护层暴露出所述导电连接结构远离所述第二晶圆一侧的表面，且与所述导电连接结构远离所述第二晶圆一侧的表面的平齐；

在所述第一保护层远离所述第二晶圆一侧的表面形成重布线层；

在所述重布线层远离所述第二晶圆一侧的表面形成绝缘层，其中，所述绝缘层包括至少一个开口结构，所述开口结构暴露出部分所述重布线层；

沿所述沟槽，对所述第二晶圆和所述第一晶圆进行切割。

2.根据权利要求1所述的薄膜谐振器的晶圆级封装方法，其特征在于，制备第二晶圆包括：

提供第二晶圆；

在所述第二晶圆的第三表面形成至少一个密封环结构；

对应的，将所述第一晶圆的第一表面放置在所述第二晶圆的第三表面侧包括：

将所述第一晶圆的第一表面放置在包括所述密封环结构的第二晶圆的第三表面侧，其中，所述密封环结构包围所述薄膜谐振器单元，且所述焊盘的部分覆盖所述密封环结构。

3.根据权利要求1所述的薄膜谐振器的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第一保护层远离所述第二晶圆一侧的表面形成重布线层包括：

在所述第一保护层远离所述第二晶圆一侧的表面形成包括电感结构的重布线层。

4.根据权利要求1所述的薄膜谐振器的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第二晶圆的第四表面侧形成第一保护层包括：

在所述第二晶圆的第四表面侧形成保护材料层，其中，所述保护材料层覆盖所述导电连接结构；

对所述保护材料层进行平坦化处理，以形成所述第一保护层。

5.根据权利要求1所述的薄膜谐振器的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第二晶圆形成沟槽之前还包括：

对所述第二晶圆的第四表面进行减薄处理。

6.根据权利要求1所述的薄膜谐振器的晶圆级封装方法，其特征在于，沿所述沟槽，对所述第二晶圆和所述第一晶圆进行切割之前还包括：

在所述第一晶圆的第二表面形成第二保护层；

将所述第二保护层远离所述第一晶圆的一侧形成支撑层；

沿所述沟槽，对所述第二晶圆和所述第一晶圆进行切割之后还包括：

去除所述支撑层。

7.根据权利要求6所述的薄膜谐振器的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第一晶圆的第二表面形成第二保护层之前还包括：

对所述第一晶圆的第二表面进行减薄处理。

8.根据权利要求1-7任一所述的薄膜谐振器的晶圆级封装方法，其特征在于，将所述第一晶圆的第一表面放置在所述第二晶圆的第三表面侧包括：

通过键合工艺将所述第一晶圆的第一表面放置在所述第二晶圆的第三表面侧。