[发明专利]引线框架的制备方法

说明书

本发明公开了一种引线框架的制备方法，制备方法包括如下步骤：在铜箔两侧覆干膜；曝光显影，使干膜表面形成预制银脚图案，预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状的大小；在预制银脚图案区形成银镀层；剥除铜箔两侧干膜；再在铜箔两侧覆干膜；曝光显影蚀刻，将引线框架浸泡至第一液体内，以使引线框架带电；再将引线框架浸泡至第二液体内，通电，以退除悬空镀层，使铜箔上形成引线框架图案；剥除铜箔两侧干膜。这样，通过增加电镀图案面积使得镀银不全的问题的得到消除，之后将蚀刻后的引线框架对增加的悬空镀层进行退镀，从而让引线框架上的悬空镀层得到消除，使得引线框架的使用性能得到提升。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种引线框架的制备方法

背景技术

在现有技术中，引线框架通常是将卷式铜材进行电镀银后根据电镀图形，进行二次压膜、曝光、蚀刻后进行生产构造出的。可以理解的是，在现有技术进行生产的过程中需要对卷式铜材进行先电镀而后蚀刻，在此过程中需要先在基材上电镀银层图形，做好镀层图形后，再覆盖干膜做蚀刻图形，引线框架蚀刻图形需要用电镀图形靶标点与蚀刻曝光模具靶标二次对位。因曝光设备精度限制，在二次对位时理论上会有5um-20um的偏差，如二次对位出现偏差，会导致蚀刻后镀银层会出现银层悬空或镀银不全问题，使得引线框架的生产效率降低，从而影响引线框架后续使用的可靠性。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出了一种引线框架的制备方法，所述制备方法能够退除悬空镀层。

根据本发明实施例的引线框架的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：在铜箔两侧覆干膜；曝光显影，使干膜表面形成预制银脚图案，所述预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状的大小；在所述预制银脚图案区形成银镀层；剥除铜箔两侧干膜；再在铜箔两侧覆干膜；曝光显影蚀刻，形成引线框架的轮廓，由于所述预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状大小，会在蚀刻成形的铜箔上形成悬空镀层；将所述引线框架浸泡至第一液体内，以使所述引线框架带电；再将所述引线框架浸泡至第二液体内，通电，以退除所述悬空镀层；剥除铜箔两侧干膜。

根据本发明实施例的引线框架的制备方法，通过增加电镀图案面积使得镀银不全的问题的得到消除，之后将将蚀刻后的引线框架先后通过第一液体和第二液体进行浸泡，使得本身不导电的干膜经过浸泡后表面带电并对增加的悬空镀层进行退镀，从而让引线框架上的悬空镀层得到消除，使得引线框架的使用性能得到提升。

在一些实施例中，所述预制银脚图案形状的外周比所述实际银脚图案的形状的外周大5um-20um。可以理解的是，通过将预制银图案的形状大于实际银脚图案的形状，使得在银脚图案印制过程中，镀银不全的情况得以消除。同时由于增大了预制银脚图案，使得悬空镀层的情况变得严重，故在本方案的设计中增设有退镀悬空镀层这一步骤以将多余的悬空镀层进行退镀处理，从而让引线框架上的银脚图案更为适用于进行使用，提升制成的引线框架的使用性能。

在一些实施例中，所述悬空镀层的厚度为2.5um-3.2um，宽度为5um-20um。可以理解的是，悬空镀层的退镀情况受到厚度与宽度共同影响，用户在使用本方案提及的悬空镀层的退镀办法时，可以根据悬空镀层的情况进行对应调整，本方案中所提及的悬空镀层的退镀厚度和宽度仅代表在本实施例下的适用情况，本方案绝不仅限于此，悬空镀层的厚度和宽度可以更大或者更小，本方案可以对其厚度和宽度的调整而进行对应性调整，本领域的工作人员能够较为简单的推导出悬空镀层在不同厚度与宽度下本方案的调整方案，在此不做赘述。

在一些实施例中，所述引线框架蚀刻之后的宽度为70mm-80mm。需要说明的是，在蚀刻之后，引线框架的宽度相对较为细小，从而使得悬空镀层的宽度具有较高的影响。这样，通过对悬空镀层的消除，使得引线框架的使用性能得到提升，引线框架的使用更为安全可靠。进一步地，引线框架蚀刻后的宽度为75mm。这样，悬空镀层能够得到较好的消除，提升引线框架的使用可靠性。