[发明专利]引线框架的制备方法有效
| 申请号： | 202110142234.X | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN113013039B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 熊绪新;彭磊;揭海欢;郑行彬 | 申请（专利权）人： | 江西新菲新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 广州德科知识产权代理有限公司 44381 | 代理人： | 林玉旋;万振雄 |
| 地址： | 330029 江西省南昌市赣江新区直管*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 引线 框架 制备 方法 | ||
1.一种引线框架的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
在铜箔两侧覆干膜；
曝光显影，使干膜表面形成预制银脚图案，所述预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状的大小；
在所述预制银脚图案区形成银镀层；
剥除铜箔两侧干膜；
再在铜箔两侧覆干膜；
曝光显影蚀刻，形成引线框架的轮廓，由于所述预制银脚图案形状的大小大于实际银脚图案的形状大小，会在蚀刻成形的铜箔上形成悬空镀层；
将所述引线框架浸泡至第一液体内，以使所述引线框架带电；
再将所述引线框架浸泡至第二液体内，通电，以退除所述悬空镀层；
剥除铜箔两侧干膜。
2.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述预制银脚图案形状的外周比所述实际银脚图案的形状的外周大5um-20um。
3.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述悬空镀层的厚度为2.5um-3.2um，宽度为5um-20um。
4.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述引线框架蚀刻之后的宽度为70mm-80mm。
5.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述引线框架蚀刻之前的宽度为240mm-260mm，厚度为150um-254um。
6.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述第一液体的PH值小于7。
7.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述第二液体的PH值为8.5-9.3。
8.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，在将所述引线框架浸泡至第二液体内，通电，以退除所述悬空镀层的步骤中，通电的电流为5.5A-7A。
9.根据权利要求1所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述引线框架在蚀刻设备上进行蚀刻，
所述蚀刻设备上设有第一浸泡槽和第二浸泡槽，所述第一浸泡槽内设有所述第一液体，所述第二浸泡槽内设有所述第二液体。
10.根据权利要求9所述的引线框架的制备方法，其特征在于，所述第一浸泡槽和所述第二浸泡槽均为一个；
或者所述第一浸泡槽和所述第二浸泡槽均为多个，多个所述第一浸泡槽和多个所述第二浸泡槽交错分布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
