[发明专利]光掩膜版的形成方法及光掩膜版

说明书

本发明涉及一种光掩膜版的形成方法及光掩膜版。所述光掩膜版的形成方法包括如下步骤：提供基底，所述基底具有芯片区域、以及位于芯片区域相对两侧的第一切割道和第二切割道；于第一切割道中形成第一组标记、并于第二切割道中形成第二组标记，第一组标记包括沿第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔，第二组标记包括沿第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔，第一子标记组与第二间隔对准排布、且第二子标记组与第一间隔对准排布。本发明使得在切割道宽度较窄的情况下也能够满足在芯片区域相对两侧的切割道中各形成一组标记的要求。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种光掩膜版的形成方法及光掩膜版。

背景技术

标记在半导体制程过程中扮演着至关重要的角色，通过测量各种标记实现对工艺质量的监测以保证产品良率。为了提高硅片的利用率，标记通常被摆放在切割道(ScribeLine)中。随着半导体制程技术节点的不断缩小，切割道的宽度也在朝着越来越小的方向发展，对于标记在切割道上的排布带来了不友好的一面。例如，对于90μm宽度的切割道，采用传统的标记排布方法，可以在外圈切割道的两边对称的各摆放一组标记，以满足量测要求。但是，当切割道的宽度缩小到60μm时，传统的两侧对称的摆放方式则不再适用，例如在曝光过程中，会带来标记重叠的问题。

因此，如何在宽度较窄的切割道中排布标记以提高硅片利用率，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种光掩膜版的形成方法及光掩膜版，用于解决现有技术中无法在宽度较窄的切割道中摆放标记的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种光掩膜版的形成方法，包括如下步骤：

提供基底，所述基底具有芯片区域、以及位于所述芯片区域相对两侧的第一切割道和第二切割道；

于所述第一切割道中形成第一组标记、并于所述第二切割道中形成第二组标记，所述第一组标记包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔，所述第二组标记包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔，所述第一子标记组与所述第二间隔对准排布、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准排布。

可选的，于所述第一切割道中形成第一组标记、并于所述第二切割道中形成第二组标记的具体步骤包括：

提供第一组初始标记和第二组初始标记，所述第一组初始标记中包括沿所述第一切割道的延伸方向连续排布的多个第一子标记，所述第二组初始标记包括沿所述第二切割道的延伸方向连续排布的多个第二子标记；

拆分所述第一组初始标记，形成多个第一子标记组，每一所述第一子标记组中包括若干所述第一子标记；

组合多个所述第一子标记组与多个第一间隔，形成包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔的所述第一组标记；

拆分所述第二组初始标记，形成多个第二子标记组，每一所述第二子标记组中包括若干所述第二子标记；

组合多个所述第二子标记组与多个第二间隔，形成包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔的所述第二组标记；

形成所述第一组标记于所述第一切割道中、并形成所述第二组标记于所述第二切割道中，使得所述第一子标记组与所述第二间隔对准、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准。

可选的，任意两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量相同；或者，存在两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量不同。

可选的，任意两个所述第一子标记组内的所述第一子标记的形状均不同。

可选的，一个所述第一子标记组沿所述第一切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第二间隔沿所述第二切割道延伸方向上的长度；