[发明专利]光掩膜版的形成方法及光掩膜版有效
申请号: | 202110141604.8 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN112731759B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 朱中钦 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/44 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩膜版 形成 方法 | ||
1.一种光掩膜版的形成方法,其特征在于,包括:
提供基底,所述基底具有芯片区域、以及位于所述芯片区域沿X轴方向相对两侧的第一切割道和第二切割道,所述第一切割道和所述第二切割道的延伸方向平行;
于所述第一切割道中形成第一组标记、并于所述第二切割道中形成第二组标记,所述第一组标记包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的多个第一子标记组和多个第一间隔,所述第一间隔为位于所述第一切割道内、且分布于相邻的两个所述第一子标记组之间的空白区域,所述第二组标记包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的多个第二子标记组和多个第二间隔,所述第二间隔为位于所述第二切割道内、且分布于相邻的两个所述第二子标记组之间的空白区域,所述第一子标记组与所述第二间隔对准排布、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准排布;所述第一子标记组的中心和所述第二间隔的中心在Y轴上的位置相同,所述第二子标记组的中心和所述第一间隔的中心在Y轴上的位置相同;
一个所述第一子标记组沿所述第一切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第二间隔沿所述第二切割道延伸方向上的长度,一个所述第二子标记组沿所述第二切割道延伸方向上的长度小于或者等于与其对准的一个所述第一间隔沿所述第一切割道延伸方向上的长度,以避免在光刻过程中发生所述第一组标记与所述第二组标记重叠的问题。
2.根据权利要求1所述的光掩膜版的形成方法,其特征在于,于所述第一切割道中形成第一组标记、并于所述第二切割道中形成第二组标记的具体步骤包括:
提供第一组初始标记和第二组初始标记,所述第一组初始标记中包括沿所述第一切割道的延伸方向连续排布的多个第一子标记,所述第二组初始标记包括沿所述第二切割道的延伸方向连续排布的多个第二子标记;
拆分所述第一组初始标记,形成多个第一子标记组,每一所述第一子标记组中包括若干所述第一子标记;
组合多个所述第一子标记组与多个第一间隔,形成包括沿所述第一切割道的延伸方向交替排布的第一子标记组和第一间隔的所述第一组标记;
拆分所述第二组初始标记,形成多个第二子标记组,每一所述第二子标记组中包括若干所述第二子标记;
组合多个所述第二子标记组与多个第二间隔,形成包括沿所述第二切割道的延伸方向交替排布的第二子标记组和第二间隔的所述第二组标记;
形成所述第一组标记于所述第一切割道中、并形成所述第二组标记于所述第二切割道中,使得所述第一子标记组与所述第二间隔对准、且所述第二子标记组与所述第一间隔对准。
3.根据权利要求2所述的光掩膜版的形成方法,其特征在于,任意两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量相同;或者,存在两个所述第一子标记组中所述第一子标记的数量不同。
4.根据权利要求2所述的光掩膜版的形成方法,其特征在于,任意两个所述第一子标记组内的所述第一子标记的形状均不同。
5.根据权利要求2所述的光掩膜版的形成方法,其特征在于,在沿所述第一切割道指向所述第二切割道的方向上,所述第一子标记的宽度、所述第一间隔的宽度、所述第二子标记的宽度和所述第二间隔的宽度均相等。
6.根据权利要求2所述的光掩膜版的形成方法,其特征在于,所述第一组初始标记与所述第二组初始标记相同。
7.根据权利要求2所述的光掩膜版的形成方法,其特征在于,每一所述第一子标记组中的所述第一子标记的数量和形状与对应的所述第二子标记组中的所述第二子标记的数量和形状均相同。
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