[发明专利]一种半导体晶圆双膜切割设备

说明书

本发明公开了一种半导体晶圆双膜切割设备，其结构包括切割机构、机体、操作台，操作台嵌固于机体的上端位置，切割机构与机体的后端相焊接，当下伸杆切至晶圆底部的凹槽上，通过重力块对下伸杆施加的压力，能够使下伸杆沿着板面向下滑动伸出，从而使下伸杆能够伸入晶圆凹槽内部，从而使下刀片能够对晶圆凹槽进行切割，有效的避免了切割刀具无法对晶圆存在的凹槽进行切割的情况，通过下刀片在对晶圆凹槽进行切割时会使晶圆粉末向上飘起，从而使收集槽能够对飘起下下落的晶圆粉末进行收集，有效的避免了下刀片在对晶圆凹槽进行切割时产生的晶圆粉末会将晶圆凹槽内壁底部切割出的划痕填满，导致晶圆不容易完整分切的情况。

技术领域

本发明涉及晶圆涂膜领域，具体的是一种半导体晶圆双膜切割设备。

背景技术

半导体晶圆双膜切割机主要是用于对半导体晶圆进行分切的设备，通过在半导体晶圆的底部贴两层划片膜，再通过半导体晶圆双膜切割机上的切割刀具对外划片膜进行切割，再使刀具对内划片膜进行切割，从而使晶圆底部能够出现划痕，最后再通过对晶圆进行施压，则能够对晶圆进行分切，基于上述描述本发明人发现，现有的一种半导体晶圆双膜切割设备主要存在以下不足，例如：

由于半导体晶圆双膜切割机的切割刀具是垂直向下对晶圆上的划片膜进行切割的，若晶圆的底部存在凹槽，则会使切割刀具划过划片膜时难以在凹槽内部留下划痕，从而导致晶圆在掰断时凹槽部位会出现不平整的情况。

发明内容

针对上述问题，本发明提供一种半导体晶圆双膜切割设备。

为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种半导体晶圆双膜切割设备，其结构包括切割机构、机体、操作台，所述操作台嵌固于机体的上端位置，所述切割机构与机体的后端相焊接；所述切割机构包括外框、承载架、切割刀具，所述外框贯穿于承载架的内部位置，所述切割刀具与外框的内部活动卡合。

作为本发明的进一步优化，所述切割刀具包括衔接杆、板面、重力块、下伸杆，所述衔接杆嵌固于板面的上端位置，所述重力块安装于下伸杆的内部位置，所述下伸杆与板面的内部活动卡合，所述重力块采用密度较大的铅金属材质。

作为本发明的进一步优化，所述下伸杆包括结合杆、固定块、下刀片、缓冲块，所述固定块与结合杆的下端活动卡合，所述下刀片嵌固于固定块的底部位置，所述缓冲块安装于结合杆的底部位置，所述缓冲块采用质地柔软的天然乳胶的材质。

作为本发明的进一步优化，所述下刀片包括减重槽、摆动板、中接板、弹力片，所述减重槽与摆动板为一体化结构，所述摆动板与中接板的边侧活动卡合，所述弹力片安装于摆动板的内侧与中接板之间，所述摆动板设有两个，且均匀在中接板的左右两侧呈对称分布。

作为本发明的进一步优化，所述摆动板包括板面、清除机构、收集槽，所述清除机构与收集槽为一体化结构，所述收集槽嵌入于板面的内部位置，所述收集槽设有三个，且均匀在板面的左侧呈平行分布。

作为本发明的进一步优化，所述清除机构包括过渡块、弹性条、底置板、外推板，所述过渡块与底置板活动卡合，所述弹性条安装于过渡块的内壁与底置板之间，所述外推板嵌固于过渡块的外侧位置，通过机构向外摆动产生的甩力，能够使外推板在过渡块的配合下沿着底置板向外滑动伸出。

作为本发明的进一步优化，所述外推板包括内固板、回扯片、透气板，所述透气板通过回扯片与内固板的左侧相连接，所述透气板上设有内外通透的孔。

本发明具有如下有益效果：

1、当下伸杆切至晶圆底部的凹槽上，通过重力块对下伸杆施加的压力，能够使下伸杆沿着板面向下滑动伸出，从而使下伸杆能够伸入晶圆凹槽内部，从而使下刀片能够对晶圆凹槽进行切割，有效的避免了切割刀具无法对晶圆存在的凹槽进行切割的情况。