[发明专利]一种半导体晶圆双膜切割设备

权利要求书

1.一种半导体晶圆双膜切割设备，其结构包括切割机构(1)、机体(2)、操作台(3)，所述操作台(3)嵌固于机体(2)的上端位置，其特征在于：所述切割机构(1)与机体(2)的后端相焊接；

所述切割机构(1)包括外框(11)、承载架(12)、切割刀具(13)，所述外框(11)贯穿于承载架(12)的内部位置，所述切割刀具(13)与外框(11)的内部活动卡合。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆双膜切割设备，其特征在于：所述切割刀具(13)包括衔接杆(a1)、板面(a2)、重力块(a3)、下伸杆(a4)，所述衔接杆(a1)嵌固于板面(a2)的上端位置，所述重力块(a3)安装于下伸杆(a4)的内部位置，所述下伸杆(a4)与板面(a2)的内部活动卡合。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆双膜切割设备，其特征在于：所述下伸杆(a4)包括结合杆(a41)、固定块(a42)、下刀片(a43)、缓冲块(a44)，所述固定块(a42)与结合杆(a41)的下端活动卡合，所述下刀片(a43)嵌固于固定块(a42)的底部位置，所述缓冲块(a44)安装于结合杆(a41)的底部位置。

4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆双膜切割设备，其特征在于：所述下刀片(a43)包括减重槽(b1)、摆动板(b2)、中接板(b3)、弹力片(b4)，所述减重槽(b1)与摆动板(b2)为一体化结构，所述摆动板(b2)与中接板(b3)的边侧活动卡合，所述弹力片(b4)安装于摆动板(b2)的内侧与中接板(b3)之间。

5.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆双膜切割设备，其特征在于：所述摆动板(b2)包括板面(c1)、清除机构(c2)、收集槽(c3)，所述清除机构(c2)与收集槽(c3)为一体化结构，所述收集槽(c3)嵌入于板面(c1)的内部位置。

6.根据权利要求5所述的一种半导体晶圆双膜切割设备，其特征在于：所述清除机构(c2)包括过渡块(c21)、弹性条(c22)、底置板(c23)、外推板(c24)，所述过渡块(c21)与底置板(c23)活动卡合，所述弹性条(c22)安装于过渡块(c21)的内壁与底置板(c23)之间，所述外推板(c24)嵌固于过渡块(c21)的外侧位置。

7.根据权利要求6所述的一种半导体晶圆双膜切割设备，其特征在于：所述外推板(c24)包括内固板(d1)、回扯片(d2)、透气板(d3)，所述透气板(d3)通过回扯片(d2)与内固板(d1)的左侧相连接。