[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本文提出了半导体器件及其制造方法，其中制造了用于纳米结构的内部间隔件。在实施方式中，将电介质材料沉积用于内部间隔件，然后进行处理。所述处理可添加材料并导致体积膨胀，以闭合可能干扰后续工艺的任何缝隙。

优先权

本申请要求于2020年5月20日提交的美国临时申请号 63/027,618的权益，该美国临时申请通过引用并入本文。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，例如个人计算机、蜂窝电话、 数码相机和其他电子设备。通常通过以下方式制造半导体器件：顺 序地在半导体基板上沉积绝缘层或电介质层、导电层和半导体层， 以及使用光刻图案化各种材料层以在它们上形成电路部件和元件。

半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来不断提高各种电子部 件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这 允许将更多的部件集成到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的 减小，出现了应解决的其他问题。

发明内容

根据本公开的一个实施方式，提供了一种制造半导体器件的方 法，所述方法包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括交替堆叠的第一半导体 层和第二半导体层；

使所述第一半导体层水平地凹陷；

在所述第一半导体层的凹陷表面和所述第二半导体层的侧壁上 形成第一内部间隔件；以及

对所述第一内部间隔件执行退火工艺以形成第二内部间隔件， 所述第二内部间隔件具有比所述第一内部间隔件更大的氧含量。

根据本公开的另一实施方式，提供了一种制造半导体器件的方 法，所述方法包括：

沉积层堆叠，其中所述层堆叠包括第一半导体材料和第二半导 体材料的交替层；

从所述层堆叠中图案化鳍片；

蚀刻所述鳍片内的所述第一半导体材料以形成第一凹槽；

用第一电介质材料填充所述第一凹槽的至少一部分，所述第一 电介质材料在填充所述第一凹槽的至少所述部分之后包含缝隙；以 及

通过将所述第一电介质材料的至少一部分改变为第二电介质材 料来闭合所述第一凹槽内的缝隙。

根据本公开的另一实施方式，提供了一种半导体器件，所述半 导体器件包含：

第一纳米结构，所述第一纳米结构被栅极电介质包围；

第二纳米结构，所述第二纳米结构在所述第一纳米结构上，其 中所述第二纳米结构被所述栅极电介质包围；以及

内部间隔件，所述内部间隔件位于所述第一纳米结构与所述第 二纳米结构之间，所述内部间隔件具有凹陷的表面，所述凹陷的表 面的深度小于约4.3nm。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述将最好地理解本公开的各 方面。应注意的是，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘 制。实际上，为了讨论清楚起见，各种特征的尺寸可以任意增大或 减小。

图1根据一些实施方式以三维视图示出了纳米结构场效晶体管 (纳米FET)的示例。