[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层；

使所述第一半导体层水平地凹陷；

在所述第一半导体层的凹陷表面和所述第二半导体层的侧壁上形成第一内部间隔件；以及

对所述第一内部间隔件执行退火工艺以形成第二内部间隔件，所述第二内部间隔件具有比所述第一内部间隔件更大的氧含量。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二内部间隔件的氧含量在10％至50％的范围内，并且所述第二内部间隔件的氮化物含量在5％至50％的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二内部间隔件的氧含量在30％至50％的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二内部间隔件的氮化物含量在20％至50％的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述退火工艺使所述第一内部间隔件内的缝隙闭合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述第一内部间隔件至少部分地用原子层沉积工艺执行。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述原子层沉积工艺利用氨作为第一前体并且使用三氯[(三氯甲硅烷基)甲基]硅烷作为第二前体。

8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

沉积层堆叠，其中所述层堆叠包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；

从所述层堆叠中图案化鳍片；

蚀刻所述鳍片内的所述第一半导体材料以形成第一凹槽；

用第一电介质材料填充所述第一凹槽的至少一部分，所述第一电介质材料在填充所述第一凹槽的至少所述部分之后包含缝隙；以及

通过将所述第一电介质材料的至少一部分改变为第二电介质材料来闭合所述第一凹槽内的缝隙。

9.根据权利要求8所述的方法，其中闭合所述缝隙还包括对所述第一电介质材料进行退火。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一电介质材料包含碳氮化硅。