[发明专利]一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法

说明书

本发明公开一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，采用NDL技术在12英寸的石英玻璃晶圆上打孔，通孔尺寸为3微米×9微米，厚度40‑50微米，将通孔玻璃晶圆黏附到12英寸的硅晶圆上作为掩模，磁控溅射金属后获得精确图形的阳极像素点。该技术使用通孔的透明玻璃掩模板代替传统的光刻掩模板制备阳极像素点，有助于掩模板与硅片晶圆的对准且玻璃的刻蚀可控性较好，同时在阳极的制备过程中规避了液体环境的引入，避免阳极金属表面腐蚀影响金属功函数和空穴注入能力，增加阳极金属的选择性。

技术领域

本发明涉及OLED微型显示器技术领域，尤其是一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法。

背景技术

硅基OLED微型显示器凭借体积小、重量轻、功耗低、分辨率高等优点，被认为是最适用于近眼显示行业的新型显示技术。随着5G商用热度的增加、民用VR/AR领域的景气度提升和军用装备信息化的推进，硅基微型显示器被国内外各大公司广泛关注并投入大量研究。

设计和制作硅基OLED的关键技术之一是阳极的图形化过程，目前比较常见的图形化方法是光刻掩模板技术（Photo-mask）以及通孔掩模板技术（Open-mask）。光刻掩模板技术存在的主要缺点是图形化像素点制造过程中会涉及液体环境，引入溶液主要是为了剥离非像素区域的光刻胶以及蒸镀在光刻胶上纳米级的金属层，从而形成精确的图形化像素点。无论是呈强碱性的显影液还是呈弱碱性的剥离液，长时间浸泡会对部分阳极金属表面产生一定程度的腐蚀，影响金属的功函数和空穴注入能力，使阳极材料的选择范围减小，产生的污染会影响硅基微型显示器的性能和寿命。虽然通孔掩模板技术并不需要接触溶液，但是该技术的通孔尺寸在几十微米以上，一般应用于手机、电脑等领域。因此，为硅基OLED微型显示器提供一种不需接触溶液且通孔尺寸小的阳极掩模板技术是有必要的。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：避免阳极金属被液体腐蚀降低功函数和空穴注入能力，增加阳极金属的选择性。

本发明解决该技术问题采用的技术方案是：

一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：包括以下步骤；

步骤一，用乙醇，丙酮，异丙醇对透明晶圆进行清洗，然后干燥；

步骤二，在干燥后的透明晶圆表面旋涂一层正型光刻胶，对正型光刻胶曝光显影后形成光刻胶掩模层；

步骤三，将具有光刻胶掩模层的所述透明晶圆放入磁中性环路放电等离子体刻蚀机，通入刻蚀气体，直至刻穿，形成内部具有高深宽比的通孔晶圆；

步骤四，采用N-甲基吡咯烷酮溶液浸泡通孔晶圆，去除残余的光刻胶掩模层；

步骤五，采用紫外胶局部点涂所述通孔晶圆，贴附在硅基衬底上；

步骤六，减薄通孔晶圆；

步骤七，采用磁控溅射在所述硅基衬底上制备阳极像素点，之后移除通孔晶圆。

作为优选，所述步骤一中的所述透明晶圆材料为玻璃。

作为优选，所述步骤三中，所述刻蚀气体为氩气和六氟化硫的混合气体，氩气和六氟化硫的比例为1比1。

作为优选，所述步骤三中，所述磁中性环路放电等离子体刻蚀机的腔室压强为0.6帕斯卡，射频电极功率为1000瓦，偏置电源功率为300瓦，六氟化硫流量为100标准毫升每分钟，氩气流量为100标准毫升每分钟，刻蚀时间为5分钟。

作为优选，所述步骤三中，通孔尺寸的长为7-10微米，宽为2-4微米。

作为优选，所述步骤五中，所述紫外胶点涂区域为四个相邻子像素的十字中心，胶厚度是5至10微米。

作为优选，所述步骤五中，所述紫外胶点涂区域为晶圆边缘，胶厚度是5至10微米。

作为优选，所述步骤六中，所述通孔晶圆减薄到40至50微米，所述通孔的深宽比降低至5比1至4比1。