[发明专利]一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法

权利要求书

1.一种用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：包括以下步骤；

步骤一，用乙醇，丙酮，异丙醇对透明晶圆进行清洗，然后干燥；

步骤二，在干燥后的所述透明晶圆表面旋涂一层正型光刻胶，对所述正型光刻胶曝光显影后形成光刻胶掩模层；

步骤三，将具有所述光刻胶掩模层的所述透明晶圆放入磁中性环路放电等离子体刻蚀机，通入刻蚀气体，直至刻穿，形成内部具有高深宽比的通孔晶圆；

步骤四，采用N-甲基吡咯烷酮溶液浸泡所述通孔晶圆，去除残余的所述光刻胶掩模层；

步骤五，采用紫外胶局部点涂所述通孔晶圆，贴附在硅基衬底上；

步骤六，减薄所述通孔晶圆；

步骤七，采用磁控溅射在所述硅基衬底上制备阳极像素点，之后移除所述通孔晶圆。

2.如权利要求1所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤一中的所述透明晶圆材料为玻璃。

3.如权利要求1所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤三中，所述刻蚀气体为氩气和六氟化硫的混合气体，氩气和六氟化硫的比例为1比1。

4.如权利要求3所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤三中，所述磁中性环路放电等离子体刻蚀机的腔室压强为0.6帕斯卡，射频电极功率为1000瓦，偏置电源功率为300瓦，六氟化硫流量为100标准毫升每分钟，氩气流量为100标准毫升每分钟，刻蚀时间为5分钟。

5.如权利要求3所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤三中通孔尺寸的长为7-10微米，宽为2-4微米。

6.如权利要求1所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤五中，所述紫外胶点涂区域为四个相邻子像素的十字中心，胶厚度是5至10微米。

7.如权利要求1所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤五中，所述紫外胶点涂区域为晶圆边缘，胶厚度是5至10微米。

8.如权利要求1所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤六中，所述通孔晶圆减薄到40至50微米，所述通孔的深宽比降低至5比1至4比1。

9.如权利要求1所述的用掩模板技术制备硅基OLED微型显示器阳极的方法，其特征在于：所述步骤七中，直流溅射中腔室压强为2×10^-4至5×10^-4帕斯卡，氩气流量30至40标准毫升每分钟，溅射电流0.3至0.4安培，溅射时间300至400秒。