[发明专利]增强布局图案的方法

说明书

增强布局图案的方法包含决定包含与开口有关的碟形图案的目标布局图案。方法包含在碟形图案上定义具有多个顶点的多边形，顶点相符于碟形图案的边界，且多边形作为开口的初始布局图案。方法包含执行目标布局图案的迭代修正。迭代修正包含投影开口的初始布局图案至基板上，决定目标布局图案与经投影布局图案之间的误差，并通过移动多边形的顶点以调整布局图案，以产生布局图案的下一迭代。方法包含持续进行调整、投影、决定直到合乎规范，且产生开口的布局图案的最终迭代。

技术领域

本揭露的一些实施方式是关于增强布局图案的方法，尤其是关于基于顶点的光学邻近效应修正的增强布局图案的方法。

背景技术

光微影制程转移光罩的布局图案至晶圆，如此一来，蚀刻、植入或其他步骤只预先定义晶圆的区域。转移光罩的布局图案至晶圆上的抗蚀层可造成抗蚀层的缺陷，且是半导体制造中的主要课题。光学邻近效应修正(optical proximity correction，OPC)操作可应用于光罩的布局图案，以减少光罩图案的缺陷。光学邻近效应修正可在光微影制程前修饰光罩的布局图案，以补偿光微影制程带来的效应。有效率的光学邻近效应修正操作于光罩的开口(例如孔、沟槽、L型/U型凹槽)、角落的布局图案与连接线端部期望可减少制造于晶圆上的开口、角落与连接线端部的光罩图案的缺陷。

发明内容

根据本揭露的一些实施方式，增强布局图案的方法包含决定包含碟形图案的目标布局图案，碟形图案与制造于基板上的开口有关。方法包含在目标布局图案上定义具有多个顶点的多边形，其中多边形的顶点相符于在目标布局图案中的碟形图案的边界，且多边形作为开口的初始布局图案。方法包含决定目标布局图案的一或更多个其他图案。方法也包含执行目标布局图案的迭代修正直到合乎规范。迭代修正包含投影开口的初始布局图案至基板上，并作为开口的布局图案的第一迭代，决定开口的目标布局图案与经投影的开口的布局图案的第一迭代之间的第一误差，并基于第一误差，通过移动多边形的一或多个顶点以执行第一调整开口的初始布局图案。方法包含通过基于一或多个其他图案，进一步移动多边形的一或多个顶点，以执行第二调整开口的初始布局图案，以产生开口的布局图案的下一迭代。方法还包含持续进行投影、决定、第一调整、第二调整直到合乎规范，且产生开口的布局图案的最终迭代。

附图说明

当与随附图示一起阅读时，可由后文实施方式最佳地理解本揭露内容的态样。注意到根据此产业中的标准实务，各种特征并未按比例绘制。实际上，为论述的清楚性，可任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1A绘示示范性的制造集成电路(integrated circuit，IC)的流程图的示意图；

图1B绘示示范性的光罩增强器的示意图；

图2A与图2B绘示光微影系统的成像系统的点扩散函数(point spread function，PSF)的横截面示图；

图3A、图3B、图3C与图3D绘示的制造于晶圆上的布局图案与光阻图案；

图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G与图4H绘示根据本揭露的一些实施方式的开口的布局图案与通过光学邻近效应修正增强的开口的布局图案；

图5A与图5B绘示根据本揭露的一些实施方式的相邻的开口的布局图案与通过光学邻近效应修正增强的相邻的开口的布局图案；

图6A、图6B、图6C、图6D与图6E绘示根据本揭露的一些实施方式的连接线与多边形的布局图案与通过光学邻近效应修正增强的连接线与多边形的布局图案；

图7A、图7B与图7C绘示当布局图案被成像在晶圆的光阻层上时，光罩的布局图案、光的振幅与光的强度；

图8A、图8B与图8C绘示根据本揭露的一些实施方式的增强的光罩的布局图案，当增强的布局图案被成像在晶圆的光阻层上时，增强的布局图案包含额外的次解析辅助特征、光的振幅与光的强度；