[发明专利]用于物理气相沉积反应室的组件

说明书

一种用于物理气相沉积反应室的组件包含具有第一表面及与第一表面相对的第二表面的覆盖环，此覆盖环的此第一表面具有第一粗糙度；及具有面向覆盖环的第一表面及与此第一表面相对的第二表面的沉积环，此沉积环的第一表面具有第二粗糙度。第一粗糙度与第二粗糙度不同。

技术领域

本揭露是有关于一种用于物理气相沉积反应室的组件。

背景技术

物理气相沉积(Physical vapor deposition；PVD)或溅射为用于制造电子元件的制程。PVD为在真空腔室中执行的电浆制程，其中负偏压的靶材暴露于具有相对重原子的惰性气体(例如，氩气(Ar))或包含此种惰性气体的气体混合物的电浆。惰性气体的离子对靶的轰击导致靶材的原子的喷射。所喷射的原子作为沉积膜累积在基板上，此基板是放置在设置于腔室内的基板支撑底座上。

发明内容

根据本揭露的一实施方式，一种用于物理气相沉积反应室的组件包含覆盖环以及沉积环。覆盖环具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。覆盖环的第一表面具有第一粗糙度。沉积环具有面向覆盖环的第一表面及与第一表面相对的第二表面。沉积环的第一表面具有第二粗糙度，其中第一粗糙度与第二粗糙度不同。

附图说明

当结合附图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭露。应强调，根据本领域的标准实务，各种特征并未按比例绘制且仅用于说明目的。事实上，为了论述清楚起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1绘示包含接地屏蔽及覆盖环的半导体处理腔室；

图2为图1中所示的沉积环的俯视图；

图3绘示图1中所示的覆盖环的底表面；

图4绘示图3中的覆盖环的剖面图；

图5绘示包含定位在沉积环之上的覆盖环的组件；

图6A绘示包含含有涂层且定位在沉积环之上的覆盖环的组件；

图6B绘示图6A中的覆盖环的剖面图；

图6C、图6D、图6E、图6F及图6G绘示包含含有涂层的覆盖环及/或沉积环的不同组件；

图7A及图7B绘示根据本揭露的实施方式的系统控制器。

【符号说明】

100:半导体处理腔室

101:腔室主体

102:配接器

103:群集工具

104:侧壁

105:基板

106:底壁

108:上部处理组件

110:处理区域

120:底座组件

122:升举机构

123:升举销

124:波纹管

126:基板支撑件

126A:电极

127:基板接收表面

128:平台外壳

129:周边边缘

130:盖组件

132:靶材

133:溅射表面

134:背面区域