[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

层间介质层，位于衬底上；所述层间介质层上具有接触孔，接触孔内具有存储节点接触插塞；

多个柱状电容，位于所述层间介质层上；其中，所述柱状电容包括：

下电极，为具有底部的筒形，所述底部与存储节点接触插塞电连接；

介质层，覆盖所述下电极的外侧壁以及顶端；

上电极，位于所述介质层外侧；其中，所述柱状电容还包括柱体，填充在所述下电极的筒形空腔内，所述柱体由介电薄膜形成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介电薄膜包含Si_xC_yN_z、Si_xN_y、Si_xO_yN_z、Si_xO_yC_z、Si_xC_y中的一种或两种以上所形成的叠层，其中x、y、z表示组成上述各物质的元素之间的摩尔比，1x,y,z5。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述介电薄膜的应力为1.0E9至-9.0E10达因/cm²。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述下电极的顶端低于所述柱体的顶端。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层包含ZrO_x、HfO_x、ZrTiO_x、ZrSiQ_x、HfSiO_x、ZrHfO_x、ZrHfSiO_x、RuO_x、SbO_x、AlO_x中的一种或两种以上所形成的叠层，其中x表示组成上述各物质的元素之间的摩尔比，1x5。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述下电极为圆筒形，所述接触孔为圆筒形。

7.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基础结构，所述基础结构包括：衬底、位于所述衬底上的层间介质层，其中，在所述层间介质层上具有接触孔，接触孔内具有存储节点接触插塞；

在所述基础结构上形成模制层；

刻蚀所述模制层形成电容孔，并使得所述接触孔与电容孔连通；

在所述电容孔的内壁以及所述存储节点接触插塞的上表面形成下电极，所述下电极为筒形；

在所述下电极的筒形空腔内填充介电薄膜，形成柱体；

去除所述模制层，在所述下电极的外侧壁以及顶端形成介质层；

在所述介质层的外侧形成上电极。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，形成所述柱体的步骤包括采用原子层沉积方法沉积所述介电薄膜，沉积温度为50℃～600℃。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述介电薄膜包含Si_xC_yN_z、Si_xN_y、Si_xO_yN_z、Si_xO_yC_z、Si_xC_y中的一种或两种以上所形成的叠层，其中x、y、z表示组成上述各物质的元素之间的摩尔比，1x,y,z5。