[发明专利]用于调整遮罩的布局图案的方法

说明书

一种用于调整遮罩的布局图案的方法，包括基于遮罩空白板的多个缺陷的讯息来位移或旋转整个布局图案，以避免当在遮罩空白板上产生作为遮罩的布局图案时，多个缺陷中的第一缺陷的影响。此方法包括基于多个缺陷中的其余的第二缺陷的讯息，在第一位置处调整遮罩的布局图案，以在将布局图案投影到晶片上时减小第二缺陷的影响。此方法还包括基于与第二缺陷不同的多个缺陷中的其余的第三缺陷的讯息，在第二位置处调整遮罩的布局图案，以在将布局图案投影到晶片上时移动第三缺陷的影响位置。

技术领域

本揭露涉及用于调整遮罩的布局图案的方法和控制系统。

背景技术

在集成电路(integrated circuit,IC)设计期间，针对集成电路制程的不同步骤，会产生多个集成电路的布局图案。布局图案包括与要在晶片上制造的结构相对应的几何形状。可以透过将遮罩投影(例如，成像)在晶片上来产生布局图案。此遮罩还包括在干净的(无图案)半导体基板或遮罩空白板(mask-blank)上产生的布局图案。因此，遮罩包括集成电路的布局图案或在遮罩空白板上创建的集成电路的一部分的布局图案。微影制程将遮罩的布局图案转移到晶片，使得蚀刻、布植或其他步骤仅应用于晶片的预定区域。

在极紫外(extreme ultraviolet,EUV)微影制程期间使用反射式遮罩(reflective mask)以形成具有较小特征尺寸的集成电路。反射式遮罩易受制造/生产缺陷(例如，氧化)的影响，并且容易损坏。因此，在遮罩空白板上可能会存在许多缺陷，这些缺陷会影响(例如，损坏)在遮罩空白板上产生作为图案化的遮罩的布局图案。另外，对遮罩的布局图案的损坏可能会影响在晶片上所制造的电路。因此，需要有效的遮罩布局调整制程，以基于遮罩空白板的缺陷来调整遮罩的布局图案，以避免缺陷对在晶片上产生的布局图案的影响。

发明内容

依据本揭露的部分实施例，提供一种用于调整遮罩的布局图案的方法，包含：基于遮罩空白板的多个缺陷的讯息来移动或旋转整个布局图案，以避免当在遮罩空白板上产生作为遮罩的布局图案时，缺陷中的一个或多个第一缺陷中的一个的影响，其中将遮罩投影在晶片上以在晶片上产生布局图案；基于缺陷的其余缺陷的第二缺陷的讯息来调整在第一位置处的遮罩的布局图案，以基于第一接受标准来减少第二缺陷对晶片的布局图案的影响；以及基于与第二缺陷不同的缺陷的其余缺陷的第三缺陷的讯息来调整在第二位置处的遮罩的布局图案，以基于第二接受标准移动第三缺陷对晶片的布局图案的影响位置。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开。应理解，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制，仅用于说明目的。实际上，为了讨论地清楚，各种特征的尺寸可以任意地增加或减小。

图1绘示根据本公开的部分实施例的反射式遮罩的横截面图；

图2绘示根据本公开的部分实施例的极紫外微影曝光工具的示意图；

图3A和图3B绘示具有缺陷的反射式遮罩的横截面图；

图4绘示遮罩的缺陷的横截面轮廓；

图5A绘示具有缺陷的遮罩上的布局图案的俯视图；

图5B和图5C绘示当缺陷位置改变时，晶片上的图5A中所示的投影的布局图案的临界尺寸的曲线图；

图6A、图6B、图6C和图6D绘示根据本公开的部分实施例的在不同位置处具有缺陷的遮罩上的布局图案；

图7A、图7B、图7C和图7D分别绘示根据本公开的部分实施例中，要在晶片上制造的光罩的(初始)布局图案的临界特征，具有相对于布局图案的临界特征的位置的缺陷的遮罩空白板，在具有缺陷的遮罩空白板上产生的光学邻近修正的布局图案，以及使用具有图7C的布局图案的光罩在晶片上产生的光阻图案；