[发明专利]具有指数增长型响应数量的PUF电路及加密装置在审
| 申请号: | 202110120619.6 | 申请日: | 2021-01-28 |
| 公开(公告)号: | CN112837737A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 宋敏特 | 申请(专利权)人: | 翼盾(上海)智能科技有限公司 |
| 主分类号: | G11C29/12 | 分类号: | G11C29/12;G11C29/42 |
| 代理公司: | 北京知果之信知识产权代理有限公司 11541 | 代理人: | 卜荣丽 |
| 地址: | 200120 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 指数 增长 响应 数量 puf 电路 加密 装置 | ||
本申请公开了一种具有指数增长型响应数量的PUF电路及加密装置,该电路包括具有PUF特性的单元存储阵列、纠错码电路、寄存器响应选择阵列,单元存储阵列在外部挑战信号作用下,产生具有PUF特性的响应,该响应通过纠错码电路稳定的输入到寄存器响应选择阵列,在寄存器响应选择阵列中进行逻辑组合后输出得到最终的响应结果;逻辑组合为:每两行寄存器为一组,每组中同一列的两个寄存器的输出增加一个二选一选择器输出,再将同一组的不同列的两个选择器的输出结果逐次进行异或,得到一个最终的输出值;将所有分组的最终输出值按序拼接得到最终的响应结果。本申请在芯片面积有限时,实现指数量级增加PUF中响应数量,解决现有PUF强度较弱的问题。
技术领域
本申请涉及IP保护技术领域,具体而言,涉及一种具有指数增长型响应数量的PUF电路及加密装置。
背景技术
PUF(Physically Unclonable Function)即物理不可克隆函数技术,在实际应用中,一方面可以提供ID认证所需的二进制安全信息,另一方面借助PUF的函数特性能够辅助其他安全算法实现数据的加密、签名等功能。PUF技术是由能够产生输出的电路、组件、过程或其他实体来实现的,是一种具体的物理结构产生的函数。由于生产过程中存在微小差异,使得PUF的输入输出关系具有随机性、不可预测性、不可克隆性,通常把PUF的输入称为挑战信号(challenge),输出称为响应信号(response)。PUF是一种物理熵源,基于物理熵源随机性的ID生成认证或者数据加密的过程更加安全,不易被现有的解密算法攻破。
当前市面上主流的可集成PUF方案之一就是SRAM PUF。SRAM(Static Random-Access Memory)是一种集成电路中常用的结构。SRAM PUF就是借助SRAM阵列的随机特性实现PUF的激励响应关系,即借助SRAM的结构实现函数映射的特性,同时因为物理随机性满足不同SRAM阵列之间的映射关系不同。由于SRAM可能会因为电路中的噪声产生跳变,输出的数值发生变化,使得在某些情况下函数的映射关系不能满足,所以在实际使用中需要纠错码来解决这一问题,保证数据的稳定。
从定义上来说,PUF按照挑战响应对(CRP,challenge-response pairs)的数量分为强PUF和弱PUF,SRAM由于其特性一般属于弱PUF。具体来说,常规的SRAM PUF的实现是借助每一个SRAM单元生成1bit随机的二进制数值,多个SRAM单元组成一行并行输出,成为PUF的响应信号,从应用的角度也可以称之为密钥;每行分配一个地址,该地址为SRAM PUF的挑战信号。举例来说,对于一个32x127大小的SRAM阵列,每次输出127bit长度的响应,按照常规方案只能有32种挑战(也可以说是32个127bit的密钥),对应的模块地址脚最少为5个(2^5=32)。
上述常规方案存在有限面积下响应数量过少的问题,因此直接导致了SRAM PUF是一种弱PUF。如果实际需求中想要增加响应,由于每个SRAM单元只为一个响应提供了数值,没有进行复用,因此需要添加SRAM单元构成新的一行,同时增加地址才能满足要求。此时响应的数量为:其中,SRAM单元的数量为m,响应的码长为n,m/n为整数。
对于集成电路来说,SRAM作为器件的一种,其数量m和所占芯片面积s是接近线性正相关的:s≈k×m(k∈R,k0),因此可以得到,PUF的芯片面积和响应的数量关系为:s≈k×n×z(k∈R,k0)。从公式中可以看到这种方案下的芯片面积和响应的数量呈线性关系。在芯片面积有限的情况下,响应的总数(或CRP的总数)并不大,这种方案的SRAM PUF仍然属于弱PUF的范畴。
如果采用简单复用SRAM单元的方案进行改进,即每增加一个响应就增加一条用于输出响应的电路,这会导致平均到每个SRAM单元的面积增加。假设共增加了q条电路(相当于q个响应),对于单个SRAM单元来说每条线路增大的面积为h,则有:s≈km+nhq(k∈R,k0),两个公式可以得到:s≈nkz+(h-k)nq(k∈R,k0)。从公式中可知,芯片面积s和响应数量z和响应增加的数量q呈线性关系。所以这种方法不能从根本上解决芯片级PUF的响应数量与芯片面积的矛盾。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于翼盾(上海)智能科技有限公司,未经翼盾(上海)智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110120619.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





